Le simulacre de substrat de nitrure de silicium de 4 pouces 4H-N sic évaluent sic le substrat pour des dispositifs de puissance élevée

4H-N 4H-SEMI 2 pouces 3 pouces 4 pouces 6 pouces SiC Substrate de qualité de production de qualité factice pour les appareils à haute puissance

H Substrats de carbure de silicium de haute pureté, substrats de SiC de haute pureté de 4 pouces, substrats de carbure de silicium de 4 pouces pour semi-conducteurs, substrats de carbure de silicium pour semi-conducteurs, plaquettes monocristallines,Pour les lingots de pierre précieuse.

Domaines d'application

1 appareils électroniques haute fréquence et haute puissance diodes Schottky, JFET, BJT, PiN, diodes, IGBT, MOSFET

2 appareils optoélectroniques: principalement utilisés dans les LED à matériau de substrat bleu GaN/SiC (GaN/SiC)

avantage

• Faible déséquilibre des treillis
• Haute conductivité thermique
• Faible consommation électrique
• Excellentes caractéristiques transitoires
• Large écart de bande

Carborundum de wafer en substrat cristallin de carbure de silicium SiC

des substrats 4H-N et 4H-SEMI SiC (carbure de silicium), disponibles dans une gamme de diamètres tels que 2 pouces, 3 pouces, 4 pouces et 6 pouces,sont largement utilisés pour la fabrication de dispositifs de haute puissance en raison de leurs propriétés de matériaux supérieuresVoici les principales propriétés de ces substrats SiC, qui les rendent idéaux pour des applications de haute puissance:

1. Large bande passante: Le 4H-SiC a une large bande passante d'environ 3,26 eV, ce qui lui permet de fonctionner efficacement à des températures, des tensions et des fréquences plus élevées que les matériaux semi-conducteurs traditionnels comme le silicium.

2. Champ électrique à haute décomposition: Le champ électrique à décomposition élevée du SiC (jusqu'à 2,8 MV / cm) permet aux appareils de gérer des tensions plus élevées sans panne, ce qui le rend essentiel pour l'électronique de puissance telle que les MOSFET et les IGBT.

3. Excellente conductivité thermique: Le SiC a une conductivité thermique d'environ 3,7 W/cm·K, nettement supérieure à celle du silicium, ce qui lui permet de dissiper la chaleur plus efficacement.

4. Vitesse d'électron de saturation élevée: Le SiC offre une vitesse de saturation électronique élevée, améliorant les performances des appareils à haute fréquence, utilisés dans des applications telles que les systèmes radar et la communication 5G.

5. Résistance mécanique et dureté: La dureté et la robustesse des substrats SiC assurent une durabilité à long terme, même dans des conditions de fonctionnement extrêmes, ce qui les rend très adaptés aux appareils de qualité industrielle.

6. Faible densité de défauts: les substrats SiC de qualité de production sont caractérisés par une faible densité de défauts, ce qui garantit une performance optimale de l'appareil, alors que les substrats de qualité fictive peuvent avoir une densité de défaut plus élevée,d'une épaisseur n'excédant pas 10 mm.

Ces propriétés rendent les substrats SiC 4H-N et 4H-SEMI indispensables dans le développement de dispositifs de puissance hautes performances utilisés dans les véhicules électriques, les systèmes d'énergie renouvelable,et applications aérospatiales.

Propriétés du carbure de silicium

2. taille de substrat standard pour 6 pouces

Échantillon de livraison

Les autres services que nous pouvons fournir

1- épaisseur personnalisée fil-coupé 2. taille personnalisée tranche de puce 3. forme cuotomized lentille