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côté de substrats d'arséniure de gallium de gaufrettes du dopant GaAs de 2inch SI double poli pour la LED

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côté de substrats d'arséniure de gallium de gaufrettes du dopant GaAs de 2inch SI double poli pour la LED

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Number modèle :Gaufrette de 6INCH GaAs
Point d'origine :LA CHINE
Quantité d'ordre minimum :10pcs
Capacité d'approvisionnement :500PCS/Month
Délai de livraison :1-4weeks
Détails de empaquetage :Film d'ANIMAL FAMILIER dans la pièce de nettoyage de 100 catégories
Matériel :Monocristal GaAs
Industrie :gaufrette de semicondutor pour le LD ou menée
Application :le substrat de semi-conducteur, a mené la puce, vitrail optique, substrats de dispositif
Méthode :LA CZ
Taille :2inch~6inch
Épaisseur :0.425mm
Surface :CMP/gravé à l'eau-forte
dopé :SI-enduit
MOQ :10pcs
Catégorie :catégorie de recherches/catégorie factice
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côté de substrats d'arséniure de gallium de gaufrettes du dopant GaAs de 2Inch SI double poli pour l'application de LED
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Gaufrette de GaAs

 

L'arséniure de gallium est un composé composé de gallium métallique et d'arsenic semi-métallique dans le rapport atomique 1 : 1. Il a un lustre métallique gris et sa structure cristalline est type de sphalérite. L'arséniure de gallium avait été synthétisé dès 1926. Ses propriétés de semi-conducteur ont été confirmées en 1952. Les dispositifs ont fait des matériaux d'arséniure de gallium ont la bonne réponse en fr3quence, la grande vitesse et la température de fonctionnement élevée, qui peuvent répondre aux besoins de l'optoélectronique intégrée. C'est actuellement le matériel optoélectronique le plus important, mais également le matériel microélectronique le plus important après matériel de silicium, il convient à la fabrication des dispositifs à haute fréquence et ultra-rapides et des circuits.

 

Application
Dans le domaine de la microélectronique, les circuits numériques ultra-rapides d'arséniure de gallium, les circuits monolithiques à micro-ondes, les circuits intégrés photoélectriques, et les transistors à effet de champ de haute puissance développés par technologie plate de auto-attribution directe d'implantation ionique sur l'arséniure de gallium semi-isolé comme matrice ont les caractéristiques de la vitesse rapide, de la haute fréquence, de la consommation de puissance faible et de la tenue aux rayonnements, qui sont non seulement de la grande importance dans la défense nationale. Elle est plus très utilisée dans la construction économique civile et nationale. Dans le domaine des communications, des matériaux semi-isolés d'arséniure de gallium sont principalement employés dans des appareils de communication à haute fréquence, conduits par le marché sans fil civil de communication ces dernières années, particulièrement le marché de téléphone portable, l'importance du marché des matériaux semi-isolés d'arséniure de gallium se développe également rapidement.
 
Détail de spécifications
Type/导电类型/掺杂元素 de dopant Semi-isolé P-Type/Zn N-Type/Si N-Type/Si
应用 d'application Eletronic micro LED Diode laser
长晶方式 de méthode de croissance VGF
直径 de diamètre 2", 3", 4", 6"
晶向 d'orientation (100) ±0.5°
厚度 d'épaisseur (µm) 350-625um±25um
参考边 d'OF/IF Les USA EJ ou entaille
载流子浓度 de concentration en transporteur - (0.5-5) *1019 (0.4-4) *1018 (0.4-0.25) *1018
电阻率 de résistivité (ohm-cm) >107 (1.2-9.9) *10-3 (1.2-9.9) *10-3 (1.2-9.9) *10-3
电子迁移率 de mobilité (cm2/V.S.) >4000 50-120 >1000 >1500
位错密度 de densité de lancement gravure à l'eau forte (/cm2) <5000 <5000 <5000 <500
平整度 de TTV [P/P] (µm) <5
平整度 de TTV [P/E] (µm) <10
翘曲度 de chaîne (µm) <10
表面加工 de finition extérieur P/P, P/E, E/E

 

 

 

côté de substrats d'arséniure de gallium de gaufrettes du dopant GaAs de 2inch SI double poli pour la LEDcôté de substrats d'arséniure de gallium de gaufrettes du dopant GaAs de 2inch SI double poli pour la LEDcôté de substrats d'arséniure de gallium de gaufrettes du dopant GaAs de 2inch SI double poli pour la LED


AU SUJET DE NOTRE ZMKJ

ZMKJ place dans la ville de Changhaï, qui est la meilleure ville de la Chine, et notre usine est fondée
dans la ville de Wuxi en 2014. Nous nous spécialisons en transformant un grand choix de matériaux en gaufrettes, substrats
et custiomized parts.components en verre optique très utilisé dans l'électronique, optique,
optoélectronique et beaucoup d'autres champs. Nous également avions travaillé étroitement avec beaucoup de domestiques
et les universités, les instituts de recherche et les sociétés d'outre-mer, fournissent les produits adaptés aux besoins du client
et services pour leurs projets de R&D.
C'est notre vision à maintenir de bonnes relations de coopération avec nos tous les clients par notre
bons reputatiaons. ainsi nous pouvons également fournir quelques autres substrats de matériaux comme goût :
côté de substrats d'arséniure de gallium de gaufrettes du dopant GaAs de 2inch SI double poli pour la LED
Emballage – Logistcs
Les soucis de Worldhawk détaille chaque du paquet, nettoyage, antistatique, traitement de choc.
Selon la quantité et la forme du produit, nous prendrons un processus de empaquetage différent !
côté de substrats d'arséniure de gallium de gaufrettes du dopant GaAs de 2inch SI double poli pour la LED
FAQ –
Q : Que pouvez-vous assurer la logistique et le coût ?
(1) nous acceptons DHL, Fedex, TNT, UPS, SME, SF et par le GOUSSET
 et état de salaire du dépôt de 50%, 50% avant la livraison.
 
Q : Quel est le délai de livraison ?
Pour l'inventaire : la livraison est 5 jours ouvrables après ordre.
Pour les produits adaptés aux besoins du client : la livraison est 2 ou 3 semaines de travail après ordre.
 

Q : Quel est le MOQ ?
(1) pour l'inventaire, le MOQ est 5pcs.
(2) pour les produits adaptés aux besoins du client, le MOQ est 10pcs-30pcs.
Q : Avez-vous le rapport d'inspection pour le matériel ?
Nous pouvons fournir le rapport de détail pour nos produits.

 

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