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SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

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Accueil / produits / SiC Substrate / CVD SiC épitaxy Wafer 2 pouces 3 pouces 4 pouces 6 pouces épaisseur épitaxy 2,5 à 120 um pour l' électronique /

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CVD SiC épitaxy Wafer 2 pouces 3 pouces 4 pouces 6 pouces épaisseur épitaxy 2,5 à 120 um pour l' électronique
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CVD SiC épitaxy Wafer 2 pouces 3 pouces 4 pouces 6 pouces épaisseur épitaxy 2,5 à 120 um pour l' électronique Description du produit Wafers SiC ...
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profilée en aluminium anodique conductivité du carbure de silicium conductivité électrique du carbure de silicium

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