FP épi-wafer InP couche de contact de substrat InGaAsP Dia 2 3 4 pouces pour la bande de longueur d'onde OCT 1,3um

FP épi-wafer InP couche de contact de substrat InGaAsP Dia 2 3 4 pouces pour la bande de longueur d'onde OCT 1,3um

Résumé du substrat InP de l'épi-plaquette FP

Les épi-plaquettes Fabry-Perot (FP) sur des substrats à phosphure d'indium (InP) sont des composants clés dans le développement de dispositifs optoélectroniques,en particulier les diodes laser utilisées dans les applications de communication optique et de détectionLes substrats inP fournissent une plateforme idéale en raison de leur haute mobilité électronique, de leur bande passante directe et de leur excellente correspondance de réseau pour la croissance épitaxienne.Ces plaquettes ont généralement plusieurs couches épitaxiennes, tels que l'InGaAsP, qui forment la cavité laser FP et sont conçus pour émettre de la lumière dans les bandes de longueur d'onde critiques de 1,3 μm à 1,55 μm, ce qui les rend très efficaces pour la communication par fibre optique.

Les lasers FP, cultivés sur ces épi-wafers, sont connus pour leur structure relativement simple par rapport à d'autres types de lasers, comme les lasers à rétroaction distribuée (DFB),ce qui en fait une solution rentable pour de nombreuses applicationsCes lasers sont largement utilisés dans les systèmes de communication optique à courte et moyenne portée, les interconnexions des centres de données et les technologies de détection telles que la détection de gaz et le diagnostic médical.

Les épi-plaquettes FP basées sur l'inP offrent une flexibilité dans la sélection des longueurs d'onde, de bonnes performances et des coûts de production réduits, ce qui en fait un composant essentiel dans les domaines en pleine croissance des télécommunications,surveillance environnementale, et des circuits photoniques intégrés.

Fiche de données du substrat InP de l'épipavé FP

Diagramme du substrat InP de l'épi-plaquette FP

Propriétés du substrat InP de l'épi-wafer FP

InP Substrate

• Constante de grille: 5,869 Å, fournissant une excellente correspondance de grille avec des matériaux tels que l'InGaAsP, minimisant les défauts dans les couches épitaxielles.
• Intervalle de bande directe: 1,344 eV (correspondant à une longueur d'onde d'émission de ~ 0,92 μm), idéal pour les applications optoélectroniques, en particulier dans le spectre infrarouge.
• Haute mobilité électronique: 5400 cm2/V·s, permettant des performances de périphériques à haute vitesse et haute fréquence, cruciales pour les technologies de communication.
• Conductivité thermique: 0,68 W/cm·K, fournissant une dissipation de chaleur adéquate pour des appareils tels que les lasers.

Les couches épitaxiennes

• Région active: généralement constituée d'InGaAsP ou de composés apparentés, ces couches émettent de la lumière dans les bandes de longueur d'onde de 1,3 μm à 1,55 μm, essentielles pour la communication par fibre optique.
• Puits quantiques multiples: ceux-ci peuvent être utilisés pour améliorer les performances du laser FP, améliorant l'efficacité et les vitesses de modulation.
• Dopage: Les couches épitaxales sont dopées (type n ou type p) pour faciliter l'injection de charge et assurer des contacts ohmiques à faible résistance.

Propriétés optiques

• Longueur d'onde d'émission: typiquement dans la plage de 1,3 μm à 1,55 μm, ce sont les longueurs d'onde idéales pour les applications de télécommunications en raison de la transmission à faible perte dans les fibres optiques.
• Facettes réfléchissantes: Les lasers FP utilisent des facettes naturellement réfléchissantes pour former la cavité laser, simplifiant la fabrication et réduisant les coûts.

Efficacité par rapport aux coûts

• Les épi-plaquettes FP sur des substrats InP offrent une structure plus simple que les types de lasers plus complexes (par exemple, les lasers DFB),réduire les coûts de fabrication tout en maintenant de bonnes performances pour la communication à courte et moyenne portée.

Ces propriétés rendent les épi-plaquettes FP sur des substrats InP très adaptées à une utilisation dans les systèmes de communication optique, les dispositifs de détection et les circuits intégrés photoniques.

Application du substrat InP de l'épiwafer FP

Communication par fibre optique

• Diodes laser: Les lasers FP sur les épi-plaquettes InP sont largement utilisés dans les systèmes de communication en fibre optique, en particulier dans la transmission de données à courte et moyenne portée.Plage de longueur d'onde de 55 μm, qui correspond aux fenêtres à faible perte des fibres optiques, les rendant idéales pour la transmission de données à grande vitesse.
• Émetteurs-récepteurs et modules optiques: Les lasers FP sont généralement intégrés dans des émetteurs-récepteurs optiques utilisés dans les centres de données et les réseaux de télécommunications pour transmettre et recevoir des signaux optiques.

Les interconnexions des centres de données

• Connectivité à haute vitesse: les lasers FP basés sur InP sont utilisés dans les centres de données pour les interconnexions entre serveurs et appareils réseau, fournissant une connectivité à haute vitesse,liaisons optiques à faible latence essentielles pour le traitement de grands volumes de données.

Détection optique

• Détection des gaz: les lasers FP peuvent être réglés sur des longueurs d'onde spécifiques pour détecter des gaz tels que le CO2, le CH4 et d'autres polluants industriels ou environnementaux par absorption infrarouge.
• Surveillance environnementale: les lasers FP sur des substrats InP sont utilisés dans les capteurs de surveillance de la qualité de l'air, de détection des gaz dangereux et des systèmes de sécurité industrielle.

Diagnostique médicale

• Tomographie de cohérence optique (OCT): les lasers à base d'inP sont utilisés dans les systèmes OCT pour l'imagerie non invasive,couramment utilisé en ophtalmologie pour les scans détaillés de la rétine et en dermatologie pour l'imagerie des tissus.

Les photos du substrat de l'épi-plaquette FP

Questions et réponses

Qu'est-ce que l'EPI dans une galette?

Le PIEdans la technologie des plaquettes signifieEpitaxie, qui désigne le processus de dépôt d'une fine couche de matière cristalline (couche épitaxielle) sur un substrat semi-conducteur (tel que le silicium ou l'InP).Cette couche épitaxielle a la même structure cristallographique que le substrat sous-jacent, permettant une croissance sans défaut de haute qualité, essentielle pour la fabrication de dispositifs semi-conducteurs avancés.