SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD Pour la bonne réputation, par la meilleure qualité, avec la plus grande efficacité.

Manufacturer from China
Fournisseur Vérifié
9 Ans
Accueil / produits / Indium Phosphide Wafer / DFB Epiwafer InP Substrate Méthode MOCVD 2 4 6 pouces Longueur d'onde de fonctionnement 1,3 μm, 1,55 μm /

show pictures

Contacter
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
Visitez le site Web
Ville:shanghai
Province / État:shanghai
Pays / Région:china
Contact:MrWang
Contacter

DFB Epiwafer InP Substrate Méthode MOCVD 2 4 6 pouces Longueur d'onde de fonctionnement 1,3 μm, 1,55 μm

DFB Epiwafer InP Substrate Méthode MOCVD 2 4 6 pouces Longueur d'onde de fonctionnement 1,3 μm, 1,55 μm
  • DFB Epiwafer InP Substrate Méthode MOCVD 2 4 6 pouces Longueur d'onde de fonctionnement 1,3 μm, 1,55 μm
  • DFB Epiwafer InP Substrate Méthode MOCVD 2 4 6 pouces Longueur d'onde de fonctionnement 1,3 μm, 1,55 μm
  • DFB Epiwafer InP Substrate Méthode MOCVD 2 4 6 pouces Longueur d'onde de fonctionnement 1,3 μm, 1,55 μm
  • DFB Epiwafer InP Substrate Méthode MOCVD 2 4 6 pouces Longueur d'onde de fonctionnement 1,3 μm, 1,55 μm
  • DFB Epiwafer InP Substrate Méthode MOCVD 2 4 6 pouces Longueur d'onde de fonctionnement 1,3 μm, 1,55 μm
produits détaillés
DFB Epiwafer InP sous-strate MOCVD méthode 2 4 6 pouces Longueur d'onde de fonctionnement: 1,3 μm, 1,55 μm Rapport sur le substrat InP de l'épivaire ...
voir produits détaillés →