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6inch sic substrats, 6inch sic gaufrettes, lingots sic en cristal,
bloc sic en cristal, sic substrats de semi-conducteur, gaufrette de carbure de silicium
6 po. de diamètre, spécifications de substrat de carbure de silicium (sic) | ||||||||
Catégorie | Catégorie zéro de MPD | Catégorie de production | Catégorie de recherches | Catégorie factice | ||||
Diamètre | 150,0 mm±0.2mm | |||||||
ThicknessΔ | 350 μm±25μm ou 500±25un | |||||||
Orientation de gaufrette | Outre de l'axe : 4.0° toward< 1120> ±0.5° pour l'axe de 4 H-N On : <0001>±0.5° pour 6H-SI/4H-SI | |||||||
Appartement primaire | {10-10} ±5.0° | |||||||
Longueur plate primaire | 47,5 mm±2.5 millimètre | |||||||
Exclusion de bord | 3 millimètres | |||||||
TTV/Bow /Warp | ≤15μm/≤40μm/≤60μm | |||||||
Densité de Micropipe | cm2 ≤1 | cm2 ≤5 | cm2 ≤15 | cm2 ≤100 | ||||
Résistivité | 4H-N | 0.015~0.028 Ω·cm | ||||||
4/6H-SI | ≥1E5 Ω·cm | |||||||
Rugosité | Ra≤1 polonais nanomètre | |||||||
CMP Ra≤0.5 nanomètre | ||||||||
Fissures par la lumière de forte intensité | Aucun | 1 laissé, ≤2 millimètre | ≤ cumulatif 10mm, length≤2mm simple de longueur | |||||
Plats de sortilège par la lumière de forte intensité | Secteur cumulatif ≤1% | Secteur cumulatif ≤2% | Secteur cumulatif ≤5% | |||||
Régions de Polytype par la lumière de forte intensité | Aucun | Area≤2% cumulatif | Area≤5% cumulatif | |||||
Éraflures par la lumière de forte intensité | 3 éraflures à la longueur cumulative du diamètre 1×wafer | 5 éraflures à la longueur cumulative du diamètre 1×wafer | 5 éraflures à la longueur cumulative du diamètre 1×wafer | |||||
Puce de bord | Aucun | 3 laissés, ≤0.5 millimètre chacun | 5 laissés, ≤1 millimètre chacun | |||||
Contamination par la lumière de forte intensité | Aucun |