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SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

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Accueil / produits / SiC Substrate / Wafer de graines SiC 4H N Type Dia 153 155 2 pouces-12 pouces personnalisé pour la fabrication de MOSFET /

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Wafer de graines SiC 4H N Type Dia 153 155 2 pouces-12 pouces personnalisé pour la fabrication de MOSFET
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Résumé deOvelles de graines de SiC Wafer de graines SiC 4H N type Dia 153 155 2 pouces-12 pouces personnalisé Utilisé pour la fabrication de MOSFETs ...
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