substrat libre de N-GaN GaN d'avion (de 10-11) pour Nonodevices
PAM-XIAMEN a établi la technologie manufacturière pour (nitrure de gallium) la gaufrette libre de substrat de GaN qui est pour UHB-LED et LD. Développé par technologie de (HVPE) d'épitaxie de phase vapeur d'hydrure, notre substrat de GaN a la basse densité de défaut et moins ou la macro densité libre de défaut.
PAM-XIAMEN offre la gamme complète de GaN et matériaux relatifs d'III-N comprenant des substrats de GaN de diverses orientations et conductivité électrique, calibres de crystallineGaN&AlN, et epiwafers faits sur commande d'III-N.
Montre ici des spécifications de détail :
substrat libre de N-GaN GaN d'avion (de 10-11)
| Article |
Pam-FS-GaN (10-11) - N |
| Dimension |
5 x 10 millimètres2 |
| Épaisseur |
350 ±25 µm du µm 430 ±25 |
| Orientation |
avion (de 10-11) outre d'angle vers l'Un-axe 0 ±0.5°
avion (de 10-11) outre d'angle vers le C-axe -1 ±0.2°
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| Type de conduction |
de type n |
| Résistivité (300K) |
< 0="">
|
| TTV |
µm du ≤ 10 |
| ARC |
-10 µm du ≤ 10 d'ARC de ≤ de µm |
| Aspérité |
Partie antérieure : Ra<0>
Arrière : La terre fine ou poli.
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| Densité de dislocation |
De 1 de x 10 5 à 5 de x 10 6 cm-2 |
| Macro densité de défaut |
0 cm2 |
| Secteur utilisable |
> 90% (exclusion de bord) |
| Paquet |
chacun dans le conteneur simple de gaufrette, sous l'atmosphère d'azote, emballée dans la pièce propre de la classe 100 |
Application de substrat de GaN
Éclairage à semi-conducteur : Des dispositifs de GaN sont utilisés en tant que diodes électroluminescentes de luminosité ultra intense (LED), TV, automobiles, et éclairage général
Stockage de DVD : Diodes lasers bleues
Dispositif de puissance : Des dispositifs de GaN sont utilisés en tant que divers composants dans l'électronique de puissance de haute puissance et à haute fréquence comme les stations de base, les satellites, les amplificateurs de puissance, et les inverseurs/convertisseurs cellulaires pour des véhicules électriques (EV) et des véhicules électriques hybrides (HEV). La basse sensibilité de GaN aux rayonnements ionisants (comme d'autres nitrures de groupe III) lui fait un matériel approprié pour des applications capable de supporter l'espace telles que des rangées de pile solaire pour des satellites et des dispositifs de haute puissance et à haute fréquence pour la communication, le temps, et des satellites de surveillance
Stations de base sans fil : Transistors de puissance de rf
Access à bande large sans fil : MMICs à haute fréquence, Rf-circuits MMICs
Capteurs de pression : MEMS
Capteurs de la chaleur : détecteurs Pyro-électriques
Conditionnement de puissance : Intégration des messages mélangés GaN/Si
Électronique automobile : L'électronique à hautes températures
Lignes de transport d'énergie : L'électronique à haute tension
Capteurs de cadre : Détecteurs UV
Piles solaires : L'espace de bande large de GaN couvre le spectre solaire de 0,65 eV à l'eV 3,4 (qui est pratiquement le spectre solaire entier), préparant la nitrure de gallium d'indium
(InGaN) allie parfait pour créer le matériel de pile solaire. En raison de cet avantage, des piles solaires d'InGaN développées sur des substrats de GaN sont portées en équilibre pour devenir une des nouvelles demandes et du marché de croissance les plus importants de gaufrettes de substrat de GaN.
Idéal pour des HEMTs, FETs
Projet de diode de GaN Schottky : Nous acceptons Spéc. de coutume des diodes de Schottky fabriquées sur les couches de nitrure de gallium (GaN) de n et les p-types HVPE-élevés et libres.
Les deux contacts (ohmiques et Schottky) ont été déposés sur la surface supérieure utilisant Al/Ti et Pd/Ti/Au.
RAPPORT de Matériel-ESSAI de basculage de courbes-GaN de XRD
Un rapport des essais est nécessaire pour montrer la conformité entre la description faite sur commande et nos données finales de gaufrettes. Nous examinerons le characerization de gaufrette par l'équipement avant l'expédition, examinant l'aspérité au microscope atomique de force, le type par l'instrument romain de spectres, la résistivité par l'équipement de non contact d'essai de résistivité, la densité de micropipe au microscope de polarisation, l'orientation par le rayon X Orientator etc. si les gaufrettes répondent à l'exigence, nous nettoierons et les emballer dans la pièce propre de 100 classes, si les gaufrettes n'assortissent pas Spéc. de coutume, nous l'enlèverons.
La moitié-taille de grande largeur (FWHM) est une expression de la gamme des fonctions indiquées par la différence entre deux valeurs extrêmes de la variable indépendante égale à la moitié de son maximum. En d'autres termes, c'est la largeur de la courbe spectrale mesurée entre ces points sur l'axe des y, qui est moitié de l'amplitude maximum.
Est ci-dessous un exemple des courbes de basculage de XRD du matériel de GaN :
Courbes de basculage de XRD de matériel de GaN
