Shenzhen Hicorpwell Technology Co., Ltd

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1550nm 1610nm BOSA TECHNIQUE DFB intégré par module LD et palladium de PIN analogue d'InGaAs

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Shenzhen Hicorpwell Technology Co., Ltd
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Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
Contact:MrsYvone Si
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1550nm 1610nm BOSA TECHNIQUE DFB intégré par module LD et palladium de PIN analogue d'InGaAs

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Number modèle :module TECHNIQUE de 1610nm BOSA
Point d'origine :LA CHINE
Quantité d'ordre minimum :1 ensemble
Conditions de paiement :Western Union, L/C, T/T
Capacité d'approvisionnement :500pcs par semaine
Détails de empaquetage :Paquet coaxial de DFB
Type :module TECHNIQUE de 1610nm BOSA
Longueur d'onde :Tx1610nm Rx 1550
Application :Ethernet
Alimentation d'énergie :2mW
Type de paquet :30X30X10 cm
Responsivity :0,85
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1610nm BOSA TECHNIQUE DFB intégré par module LD et palladium 1550nm de PIN analogue d'InGaAs pour CATV RFoG

 

Hicorpwell   le montage partiel optique de fibre simple est conçu pour des applicatons de CATV.

 

Il intègre le détecteur de MQW CWDM DFB LD et de PIN d'InGaAs pour le signal 1550nm analogue.

 

Il palladium intégré de moniteur d'InGaAs et jeu de puces TECHNIQUE.

 

Température de fonctionnement -40 à °C 85

 

Émetteur optique et électrique de caractéristiques

 

Paramètre Symbole Minute Type Maximum Unité Condition
De puissance de sortie évalué Tacaud 2,0 - 3,0 mW If=30mA
Longueur d'onde de Tx nanomètre 1607   1613 nanomètre  
Courant de seuil Ith - 10 15 mA Onde entretenue
Efficacité de pente Es 0,1 - - W/A  
Erreur de cheminement TE -1,5 - 1,5 DB  
Isolement optique OIN 30 - - DB  
TECHNIQUE Qmax - - 0,6 W  
 
Récepteur
Paramètre Symbole Minute Type Maximum Unité Condition
Gamme de longueurs d'onde λ 1540 1550 1560 nanomètre Onde entretenue
Surcharge P 3 - - dBm  
Largeur de bande BW 1,5   - Gigahertz -
Responsivity R 0,80 0,85 - A/W λ =1550nm
Diamètre actif Annonce   75   um -

1550nm 1610nm BOSA TECHNIQUE DFB intégré par module LD et palladium de PIN analogue d'InGaAs

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