Shenzhen Hicorpwell Technology Co., Ltd

La qualité est non seulement un acte, il est une habitude.

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photodiode d'InGaAs du petit secteur 1100nm-1650nm avec le type de Sc de puce de détecteur d'InGaAs

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Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
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photodiode d'InGaAs du petit secteur 1100nm-1650nm avec le type de Sc de puce de détecteur d'InGaAs

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Number modèle :Photodiode d'InGaAs avec le type de Sc de puce de détecteur d'InGaAs
Point d'origine :La Chine
Quantité d'ordre minimum :50 PCs
Conditions de paiement :Western Union, L/C, T/T
Capacité d'approvisionnement :500pcs par semaine
Détails de empaquetage :Boîte d'ESD
type :Photodiode d'InGaAs avec le type de Sc de puce de détecteur d'InGaAs
Haut Responsivity :≥0.85A/W 1310nm ≥o.90nm 1550nm
Courant en avant :30v
Type de laser :Laser de fibre
Paiement :TT/Paypal
Tension inverse maximale :15 (PALLADIUM)
Options de longueur :option de 0.1~1m
Fibre :SM 9/125
Puissance :2mW
Paquet :Boîte d'ESD
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photodiode d'InGaAs du petit secteur 1100nm-1650nm avec le type de Sc de puce de détecteur d'InGaAs

 

 

La photodiode d'InGaAs du petit secteur 1100nm-1650nm emploie une puce de détecteur d'InGaAs, et comporte une consommation de puissance faible,

petite sensibilité courant et élevée d'obscurité, grandes linéarités, design compact et petit volume.

L'équipement est le plus utilisé généralement dans les récepteurs de CATV, l'équipement de détection de puissance et les récepteurs de signal optique pour les systèmes analogues.

 

photodiode d'InGaAs du petit secteur 1100nm-1650nm avec le type de Sc de puce de détecteur d'InGaAs         photodiode d'InGaAs du petit secteur 1100nm-1650nm avec le type de Sc de puce de détecteur d'InGaAs

 

 

Capacités absolues

 

 

Paramètre Symbole Estimations Unité
Température de stockage Tstg ~40 〜 +100 °C
Température de fonctionnement Dessus -40 〜 +85 °C
Max Input Power Pmax +4 dBm
Tension d'opération VOP 5 V
Tension inverse de palladium VR (PALLADIUM) 25 V
Temp de soudure - 260 °c
Temps de soudure - 10 s

 

Caractéristiques optiques et électriques

 

 

Paramètre Symbole Mn. Type. Maximum. Unité Condition d'essai
Gamme de longueurs d'onde λ 1100 - 1650 nanomètre -
Chaîne de puissance P -70 - +4 dBm V=5V
Diamètre actif Annonce   75   um -
Courant d'obscurité Identification - 0,2 0,5 Na -
Responsivity R - 0,85 0,90 A/W 入 =1310 nanomètre
  0,90 0,95 入 =1550 nanomètre
Largeur de bande de fréquence Guerre biologique 1   2000 Mégahertz  
Réponse en fr3quence Franc - 土 0,5 - DB  
Capacité Ct - 0,65 0,75 PF -
Temps de réponse TR 0,1 -   NS -
Perte de retour R1     -45 DB  
CHF de CHF - - -70 - dBc 45~860MHz
CTB CTB - - -80 - dBc 45~860MHz

 

 

 

Hicorpwell est une prise professionnelle dans des modules coaxiaux de diode de détecteur photoélectrique d'InGaAs (récipient actif optique analogue ROSA brancher)

 

fabricant en Chine. Nous fournissons également des diodes lasers de papillon, diode de détecteur coaxiale de laser de tresse d'InGaAs, dispositif coaxial de laser de diode de tresse

et plus.

 

Tâche de Pin 5.PD :

             

                                                             

                                           photodiode d'InGaAs du petit secteur 1100nm-1650nm avec le type de Sc de puce de détecteur d'InGaAs

                                                                            

                                                    

                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                   photodiode d'InGaAs du petit secteur 1100nm-1650nm avec le type de Sc de puce de détecteur d'InGaAs

 

 

 

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