Shenzhen Hicorpwell Technology Co., Ltd

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Module optique de diode laser de l'isolant 1550nm DFB d'InGaAs de photodiode intégrée de moniteur avec et sans TECHNIQUE

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Shenzhen Hicorpwell Technology Co., Ltd
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Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
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Module optique de diode laser de l'isolant 1550nm DFB d'InGaAs de photodiode intégrée de moniteur avec et sans TECHNIQUE

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Number modèle :Modules coaxiaux optiques de laser de diode laser du tresse DFB de fibre
Point d'origine :La Chine
Quantité d'ordre minimum :10sets
Conditions de paiement :Western Union, L/C, T/T
Capacité d'approvisionnement :5000pcs par semaine
Détails de empaquetage :26X5.5X19 cm 0.3KG pour 10 PCs
Type :Module coaxial de laser de DFB HCW-PLD1550Dxx-S (1550nm-1552nm)
Longueur d'onde :1550nm-1552nm
Isolement :Simple/double
Puce :CWDM DFB
Tolérance :+/-3nm
Paiement :TT/PayPal
Tension inverse de maximum :15 (PALLADIUM)
Type de paquet :Par le trou
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Module optique de diode laser de l'isolant 1550nm DFB d'InGaAs de photodiode intégrée de moniteur avec et sans TECHNIQUE

 

le module de diode laser de 1550nm DFB a une photodiode intégrée de moniteur d'InGaAs et un isolant optique intégrés à l'intérieur de son paquet.

Sa largeur de bande directe de modulation est plus grande que 1.8GHz. Cette diode laser convient aux applications dans les réseaux optiques

comme des systèmes de communication mobile et des systèmes de CATV.

Caractéristiques :

  • Largeur de bande analogue plus haute que 1800MHz
  • puce de laser de la Haut-fiabilité DFB à 1310nm ou à 1550nm
  • Photodiode intégrée de moniteur d'InGaAs
  • Isolant optique intégré
  • paquet 4-pin pigtailed coaxial, mode unitaire FC/APC ou connecteur de SC/APC (ou tout autre type de connecteur)

Applications :

  • Systèmes optiques de répétiteur de fibre dans les réseaux de communication mobile
  • Systèmes de transmission de CATV (chemins de retour/liens)
  • D'autres applications analogues

Caractéristiques :
Les diodes avec la sortie standard 2mW ou la puissance à haute production 5mW sont disponibles.

 

 

Capacités absolues

 

Paramètre Symbole Mn. Maximum. Unité Condition d'essai
Température de stockage Tstg -40 100 -
Température de fonctionnement Dessus -40 85 -
Actuel en avant (LD) Si (LD)   150 mA  
Tension inverse (LD) Vr (palladium)   2 V  
Actuel en avant (palladium) Si (LD)   2 mA  
Tension inverse (palladium) Vr (palladium)   15 V  
Temp de soudure - - 260 -
Temps de soudure - - 10 S S

 

 

Caractéristiques optiques et électriques

 

Paramètre Symbole Mn. Type. Maximum. Unité Condition d'essai
Puissance évaluée PO 6 8   mW Ith+40mA
Courant de seuil Ith   5 10 mA Onde entretenue
Opération fonctionnante Si   45 55 mA Onde entretenue, P=Po
Chute de tension en avant VOP - 1,1 1,5 V Onde entretenue, Ith+40mA
Longueur d'onde de cent λc 1540 1550 1560 nanomètre -3DB
Largeur de spectre Δλ -   0,2 nanomètre -20dB
rapport de suppression de Côté-mode SMSR 35   - DB -
Largeur de bande (3dB) Guerre biologique - 2,5   Gigahertz -
Courant de moniteur Im 0,1   0,9 mA Onde entretenue, Ith+40mA
Courant d'obscurité de moniteur Identification - - 0,1 uA 5V
Bruit relatif d'intensité RIN - -155 -150 dB/Hz Onde entretenue, 25℃
Planéité passe-bande de rf FB   ±1.0   DB If=Iop, 45MHz-2500MHz, °C T=25
Déformation de troisième ordre IMD3 - -55 - dBc essai de 2 tons,
Isolement optique OIN 30 40 - DB 25℃

 

 

Module optique de diode laser de l'isolant 1550nm DFB d'InGaAs de photodiode intégrée de moniteur avec et sans TECHNIQUE

Module optique de diode laser de l'isolant 1550nm DFB d'InGaAs de photodiode intégrée de moniteur avec et sans TECHNIQUE

 

Module optique de diode laser de l'isolant 1550nm DFB d'InGaAs de photodiode intégrée de moniteur avec et sans TECHNIQUE

 

 

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