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| Statut sans plomb/statut de RoHS : |
Sans plomb/RoHS conforme |
| Description détaillée : |
Rangée N de transistor MOSFET et P-canal 20V 3.9A, 2.1A 1.4W, 1.3W bâti extérieur 6-TSOP |
| Caractéristique de FET : |
Porte de niveau de logique |
| Puissance - maximum : |
1.4W, 1.3W |
| Niveau de sensibilité d'humidité (MSL) : |
1 (illimité) |
| Fabricant Standard Lead Time : |
32 semaines |
| Type de FET : |
N et P-canal |
| Série : |
TrenchFET® |
| Actuel - drain continu (identification) @ 25°C : |
3.9A, 2.1A |
| D'autres noms : |
SI3585CDV-T1-GE3-ND SI3585CDV-T1-GE3TR |
| Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds : |
150pF @ 10V |
| Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs : |
58 mOhm @ 2.5A, 4.5V |
| Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs : |
4.8nC @ 10V |
| Température de fonctionnement : |
-55°C | 150°C (TJ) |
Points culminants chauds d'offres
| Modèle de produit |
Marque |
| TLV9152QDGKRQ1 |
TI |
| ISO7831DWR |
TI |
| TPS562207SDRLR |
TI |
| TPS7B4253QPWPRQ1 |
TI |
| TPS25940AQRVCRQ1 |
TI |
| ISO7331FCQDWRQ1 |
TI |
| TPS22992RXPR |
TI |
| TPS62913RPUR |
TI |
| MPX2200AP |
|
| CCS811B-JOPD |
L'AMS |
Problème commun
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