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Laser simple durable Ridge Waveguide Structure For Illumination de diode d'émetteur

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Laser simple durable Ridge Waveguide Structure For Illumination de diode d'émetteur

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Brand Name :HTOE
Model Number :LDM-0650-300m-*3
Place of Origin :Beijing, China
MOQ :50 pcs
Price :Negotiable
Payment Terms :T/T
Supply Ability :1000 pcs per month
Delivery Time :10-20 working days
Packaging Details :Paper Box
Output power :300 mWatt
Lasing Wavelength :650±10 nm
Operating Current :≤1 A
Operating Voltage :≤2.3 V
Package :C-Mount/TOØ3
Threshold Current :≤0.65 A
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la longueur d'onde 650nm a empaqueté le laser simple de diode d'émetteur pour l'illumination

LDM-0650-300m-*3 appartient aux lasers simples de diode d'émetteur emballés par série de HTOE LDM. Basé sur l'épitaxie de Quantum-bien et la conception de structure de guide d'ondes d'arête, les diodes simples d'émetteur emballées par série de HTOE LDM sont des lasers de semi-conducteur de cavité de Fabry-Perot. Les émetteurs simples emballés par série de LDM fournissent l'excellentes fiabilité et représentation. Les options standard sont 635nm, 650nm, 670nm, 785nm, 808nm, 830nm, 915nm, 940nm, 980nm et 1064 nanomètre emballés dessus aux bâtis, aux bâtis de Cos, aux C-bâtis et aux F-bâtis. D'ailleurs, les émetteurs simples emballés par série de LDM fournissent la poutre formant des services comme la compression de rapide-axe selon des requêtes du client.

 

Caractéristiques

  • longueur d'onde du centre 650nm
  • watt de 300m de puissance de sortie
  • Paquet standard de C-bâti
  • Norme au paquet dans 3mm
  • Haut effiency électro-optique
  • Fiabilité élevée

Applications

  • Illumination
  • Source de pompe de laser de DPSS

Paramètres (20℃)

C-Mount/TOØ3 emballés choisissent l'émetteur
Article Paramètre Unité LDM-0650-300m-*3
Minimal. Typique Maximum.
Paramètre optique De puissance de sortie mW - 300 -
Longueur d'onde de Lasing nanomètre 640 650 660
Largeur spectrale nanomètre - 1,0 2,0
Émission de la largeur de secteur µm - 100 -
Coefficient de température nm/℃ - 0,30 -
Divergence rapide d'axe degré - 34 38
Divergence lente d'axe degré - 7 10
Paramètre électrique Efficacité de pente W/A 0,90 - -
Courant de seuil A - 0,45 0,65
Courant d'opération A - 0,7 1,00
Tension d'opération V - 2,00 2,30
D'autres Paquet - C-Mount/TOØ3
Température de fonctionnement 10 | 30
Température de stockage -10 | 60
 

L'information de paquet

Laser simple durable Ridge Waveguide Structure For Illumination de diode d'émetteur

Paquet de C-bâti

Laser simple durable Ridge Waveguide Structure For Illumination de diode d'émetteur

Paquet TOØ3

 

Courbe de fonction

Laser simple durable Ridge Waveguide Structure For Illumination de diode d'émetteur

                    Courbe spectrale de courbe de P-I-V

 

Avis

  1. Avis modèle d'article : LDM (modèle d'article), 0650 (longueur d'onde centrale), 300m (de puissance de sortie), *3 (structure de radiateur et largeur d'article).
  2. Des données dans la feuille toutes sont basées sur l'essai de radiateur de paquet de C-bâti.
  3. Des précautions d'ESD doivent être prises en manipulant l'unité.

  4. Un environnement sec devrait être équipé en stockant ou en actionnant un dispositif de facette ouverte de laser de diode aux températures au-dessous du point de condensation ambiant. Le manque de faire ainsi causera la condensation sur l'unité et peut la détruire.

  5. Pour plus d'information, entrez en contact avec svp Hi-Tech Optoelectronics Co., Ltd.

Précautions d'ESD

 

La cause primaire de l'échec de diode est décharge électrostatique inattendue. Pour aider à empêcher des échecs de dispositif, soyez sûr de manipuler des dispositifs avec soin extrême. Les utilisateurs devraient toujours utiliser une dragonne d'ESD, rectifier toutes les surfaces de travail applicables et suivre des techniques antistatiques en manipulant des lasers de diode.

 

Mots clés du produit:
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