barre de diode laser de puissance de 100 watts d'hauteur, 808 barre non montée de diode laser du nanomètre QCW
Les lasers de semi-conducteur sont la pièce maîtresse de la plupart de systèmes industriels d'aujourd'hui de laser. Si le traitement matériel direct ou le pompage optique des lasers à état solide, les lasers de fibre ou les lasers de disque, les émetteurs simples non montés et des barres sont la composante clé pour la conversion initiale de l'énergie électrique dans la lumière.
HTOE s'était concentré sur la technologie de gaufrette de semi-conducteur à partir de 1998, fournit la puissance élevée à plusieurs modes de fonctionnement aux longueurs d'onde entre 635 et 1064nm.
- Barres non montées à plusieurs modes de fonctionnement de puissance élevée jusqu'à l'onde entretenue 40W et à la sortie de 200W QCW
- Émetteurs simples non montés jusqu'à la puissance de l'onde entretenue 2W
- Les longueurs d'onde disponibles incluent 635nm, 650nm, 808nm, 980nm et 1064nm
Paramètres (25℃)
| Paramètre |
Unité |
LDAQ1-0808-0100 |
| Paramètre optique |
Mode d'opération |
- |
QCW |
| P de puissance de sortieo |
W |
100 |
| Λ centralcde longueur d'onde |
nanomètre |
808 ± 5 |
| Géométrique |
Remplissez facteur |
- |
87% |
| Nombre d'émetteurs simples non montés |
- |
100 |
| Paramètre électrique |
Efficacité Esde pente |
W/A |
≥1.2 |
| Th du courant Ide seuil |
A |
≤20 |
| Courant Ifd'opération |
A |
≤100 |
| Tension Vfd'opération |
V |
≤3 |
Avis
1. Avis d'article : LDAQ1 (modèle d'article) - **** (longueur d'onde centrale) - **** (de puissance de sortie).
2. La fiche technique est basée sur le résultat de l'essai sous 25℃, durée d'impulsion 200μs, fréquence 1-100Hz, coefficient d'utilisation maximum 2%, et application typique 0,4%.
3. La fiche technique est basée sur l'essai de paquet de CS.
4. Pour plus d'information, entrez en contact avec svp Hi-Tech Optoelectronics Co., Ltd.
