Hi-Tech Optoelectronics Co., Ltd

Manufacturer from China
Membre actif
7 Ans
Accueil / produits / Diode laser non montée /

Fiabilité élevée de diode laser de diode laser non montée modulaire de puissance élevée

Contacter
Hi-Tech Optoelectronics Co., Ltd
Ville:beijing
Province / État:beijing
Pays / Région:china
Contact:MissMi Tian
Contacter

Fiabilité élevée de diode laser de diode laser non montée modulaire de puissance élevée

Demander le dernier prix
Brand Name :HTOE
Model Number :CLDM-0980-1000-02
Place of Origin :Beijing, China
MOQ :100 pcs
Price :Negotiable
Payment Terms :T/T
Supply Ability :1000 pcs per month
Delivery Time :15-30 working days
Packaging Details :Paper box
Output Power :1 W
Center Wavelength :980±10 nm
Emitter Width :100 μm
Cavity Length :900 μm
Width :500 μm
Operating Current :≤ 1.36 A
more
Contacter

Add to Cart

Trouver des vidéos similaires
Voir la description du produit

1 watt, diode laser non montée de 980 nanomètre, émetteur simple non monté

Les lasers de semi-conducteur sont la pièce maîtresse de la plupart de systèmes industriels d'aujourd'hui de laser. Si le traitement matériel direct ou le pompage optique des lasers à état solide, les lasers de fibre ou les lasers de disque, les émetteurs simples non montés et des barres sont la composante clé pour la conversion initiale de l'énergie électrique dans la lumière.

HTOE s'était concentré sur la technologie de gaufrette de semi-conducteur depuis 1998, fournit la puissance élevée à plusieurs modes de fonctionnement aux longueurs d'onde entre 635 et 1064nm.

  • Barres non montées à plusieurs modes de fonctionnement de puissance élevée jusqu'à l'onde entretenue 40W et à la sortie de 200W QCW ;
  • Émetteurs simples non montés jusqu'à la puissance de l'onde entretenue 2W ;
  • Les longueurs d'onde disponibles incluent 635nm, 650nm, 808nm, 980nm et 1064nm.

Paramètres (25℃)

Paramètre Unité CLDM-0980-1000-02
Paramètre optique P de puissance de sortieo mW 1000
Λ centralcde longueur d'onde nanomètre 980 ± 10
⊥×θ∥ de θ de divergence de poutre degré 40x10
MORUE W ≥ 2,00
Géométrique Largeur d'émetteur μm 100
Largeur μm 500
Longueur de cavité μm 900
Paramètre électrique Efficacité Esde pente W/A ≥ 0,90
Th du courant Ide seuil A ≤ 0,25
Courant Ifd'opération A ≤ 1,36
Tension Vfd'opération V ≤ 2,00
 

Avis

1. Avis d'article : CLDM (modèle d'article) - 0980 (longueur d'onde centrale) - 1000 - 02 (de puissance de sortie).

2. La fiche technique est basée sur le résultat de l'essai sous 25℃.

3. La fiche technique est basée sur l'essai de paquet de C-bâti.

4. Pour plus d'information, entrez en contact avec svp Hi-Tech Optoelectronics Co., Ltd.

 

 

 

Mots clés du produit:
Inquiry Cart 0