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1 watt, diode laser non montée de 980 nanomètre, émetteur simple non monté
Les lasers de semi-conducteur sont la pièce maîtresse de la plupart de systèmes industriels d'aujourd'hui de laser. Si le traitement matériel direct ou le pompage optique des lasers à état solide, les lasers de fibre ou les lasers de disque, les émetteurs simples non montés et des barres sont la composante clé pour la conversion initiale de l'énergie électrique dans la lumière.
HTOE s'était concentré sur la technologie de gaufrette de semi-conducteur depuis 1998, fournit la puissance élevée à plusieurs modes de fonctionnement aux longueurs d'onde entre 635 et 1064nm.
Paramètres (25℃)
Paramètre | Unité | CLDM-0980-1000-02 | |
---|---|---|---|
Paramètre optique | P de puissance de sortieo | mW | 1000 |
Λ centralcde longueur d'onde | nanomètre | 980 ± 10 | |
⊥×θ∥ de θ de divergence de poutre | degré | 40x10 | |
MORUE | W | ≥ 2,00 | |
Géométrique | Largeur d'émetteur | μm | 100 |
Largeur | μm | 500 | |
Longueur de cavité | μm | 900 | |
Paramètre électrique | Efficacité Esde pente | W/A | ≥ 0,90 |
Th du courant Ide seuil | A | ≤ 0,25 | |
Courant Ifd'opération | A | ≤ 1,36 | |
Tension Vfd'opération | V | ≤ 2,00 |
Avis
1. Avis d'article : CLDM (modèle d'article) - 0980 (longueur d'onde centrale) - 1000 - 02 (de puissance de sortie).
2. La fiche technique est basée sur le résultat de l'essai sous 25℃.
3. La fiche technique est basée sur l'essai de paquet de C-bâti.
4. Pour plus d'information, entrez en contact avec svp Hi-Tech Optoelectronics Co., Ltd.