Hi-Tech Optoelectronics Co., Ltd

Manufacturer from China
Membre actif
7 Ans
Accueil / produits / Diode laser non montée /

808nm puce nue de puissance de sortie de diode laser de la longueur d'onde 500mW

Contacter
Hi-Tech Optoelectronics Co., Ltd
Ville:beijing
Province / État:beijing
Pays / Région:china
Contact:MissMi Tian
Contacter

808nm puce nue de puissance de sortie de diode laser de la longueur d'onde 500mW

Demander le dernier prix
Brand Name :HTOE
Model Number :CLDM-0808-0500-02
Place of Origin :Beijing, China
MOQ :100 pcs
Price :Negotiable
Payment Terms :T/T
Supply Ability :1000 pcs per month
Delivery Time :15-30 working days
Packaging Details :Paper box
Output Power :500 mW
Center Wavelength :808±5 nm
Emitter Width :50 μm
Cavity Length :600 μm
Width :500 μm
Operating Current :≤ 0.6 A
more
Contacter

Add to Cart

Trouver des vidéos similaires
Voir la description du produit

watt de 500m, émetteur simple non monté de 808 nanomètre, diode laser non montée

Les lasers de semi-conducteur sont la pièce maîtresse de la plupart de systèmes industriels d'aujourd'hui de laser. Si le traitement matériel direct ou le pompage optique des lasers à état solide, les lasers de fibre ou les lasers de disque, les émetteurs simples non montés et des barres sont la composante clé pour la conversion initiale de l'énergie électrique dans la lumière.

HTOE s'était concentré sur la technologie de gaufrette de semi-conducteur depuis 1998, fournit la puissance élevée à plusieurs modes de fonctionnement aux longueurs d'onde entre 635 et 1064nm.

  • Barres non montées à plusieurs modes de fonctionnement de puissance élevée jusqu'à l'onde entretenue 40W et à la sortie de 200W QCW ;
  • Émetteurs simples non montés jusqu'à la puissance de l'onde entretenue 2W ;
  • Les longueurs d'onde disponibles incluent 635nm, 650nm, 808nm, 980nm et 1064nm.

Paramètres (25℃)

Paramètre Unité CLDM-0808-0500-02
Paramètre optique P de puissance de sortieo mW 500
Λ centralcde longueur d'onde nanomètre 808 ± 5
⊥×θ∥ de θ de divergence de poutre degré 38x10
MORUE W ≥ 1,00
Géométrique Largeur d'émetteur μm 50
Largeur μm 500
Longueur de cavité μm 600
Paramètre électrique Efficacité Esde pente W/A ≥ 1,10
Th du courant Ide seuil A ≤ 0,12
Courant Ifd'opération A ≤ 0,6
Tension Vfd'opération V ≤ 1,9
 

Avis

1. Avis d'article : CLDM (modèle d'article) - 0808 (longueur d'onde centrale) - 0500 - 02 (de puissance de sortie).

2. La fiche technique est basée sur le résultat de l'essai sous 25℃.

3. La fiche technique est basée sur l'essai de paquet de C-bâti.

4. Pour plus d'information, entrez en contact avec svp Hi-Tech Optoelectronics Co., Ltd.

 

 

 

Mots clés du produit:
Inquiry Cart 0