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China 75 microns Silicium amorphe A Si Pour divers domaines A Si DR Épreuves non destructives wholesale

75 microns Silicium amorphe A Si Pour divers domaines A Si DR Épreuves non destructives

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Numéro de modèle :H2317HSC-CG, sous réserve de l'utilisation de la méthode suivante

Lieu d'origine :Chine

Quantité minimale de commande :1

Détails de l'emballage :Emballage en carton standard d'exportation

Matériel :un capteur de silicium amorphe

Température :10 à 35°C (opérationnel); 10 à 50°C (entreposage)

l'humidité :RH de 30 à 70% (non condensée)

Nom du produit :DR Détecteur numérique de panneau plat

Type de récepteur :Un-SI

Scintillateur :Ces informations sont fournies à l'adresse suivante:

Zones actives :230.4 x 172 mm

La hauteur des pixels :75μm

Résolution :3072 x 2304

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75 microns de silicium amorphe A-Si pour divers domaines A-Si DR et tests non destructifs

H2317HSC-CG Il s'agit d'un détecteur plat léger basé sur des capteurs de silicium amorphe, adapté à la détection par rayons X

Capteur
Recepteur de type a-Si

Scintilleur CsI:TI

Zone active 230,4 x 172 mm

Résolution 3072x 2304

Pixel Pitch 75 μm

Appareil électrique et batterie

Adaptateur en courant alternatif 100-240V,50-60Hz

Adaptateur de sortie DC 24V,2.7A

Dissipation de puissance < 20 W

Qualité de l'image
Résolution limitante 5,9 LP/mm

Plage d'énergie 40 à 150 KV

Dimension dynamique ≥ 76 dB

Sensibilité ≥ 0,54 LSB/nGy

Ghos < 1% 1ère image

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