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Fil diamanté ultrafin de précision pour la découpe de plaquettes de silicium PV à semi-conducteurs

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Ville:shijiazhuang
Province / État:hebei
Pays / Région:china
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Fil diamanté ultrafin de précision pour la découpe de plaquettes de silicium PV à semi-conducteurs

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Numéro de modèle :Fil diamanté ultra-mince
Lieu d'origine :Chine
Quantité minimale de commande :50 kilomètres
Conditions de paiement :L/C, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :500 000 KM/mois
Délai de livraison :7 à 10 jours
Détails de l'emballage :Boîte en bois/paquet standard d'exportation
Nom du produit :Fil diamanté ultra-mince
Diamètre du fil central :35 µm
Quantité de Girt :120-220 PC/mm
Surface Roughness :Ra ≤ 0,2 μm
Poussière abrasive de diamant :1.5·3 μm monocristalline
Kerf :65 μm
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Fil de diamant ultra-mince de précision pour la découpe de plaquettes de silicium par semi-conducteurs et PV

 

Description PourFil de diamant ultra-mince de précision pour la découpe de plaquettes de silicium par semi-conducteurs et PV:

Precision ultra-thin diamond wire is a cutting-edge cutting tool used in the semiconductor and photovoltaic (PV) industries for slicing silicon wafers with exceptional accuracy and minimal material lossIl est constitué d'un fil de noyau à haute résistance (généralement en acier ou en tungstène) galvanisé avec des particules abrasives de diamants, permettant deà haute efficacité de découpe de lingots de silicium monocristallin et polycristallin.

 

Caractéristiques pour Fil de diamant ultra-mince de précision pour la découpe de plaquettes de silicium par semi-conducteurs et PV:
1. Diamètre ultra-mince: varie de 30 à 100 μm, permettant une perte minimale de tranche et un rendement de wafer plus élevé.
2. Coupe de haute précision: assure une épaisseur de gaufre uniforme (jusqu'à 100 ‰ 200 μm) avec une qualité de surface supérieure.
3Abrasifs diamantés: les particules de diamant synthétique (5 ̊30 μm) offrent une dureté et une résistance à l'usure exceptionnelles.
4- Noyau à haute résistance à la traction: le fil d'acier ou de tungstène assure une durabilité et une résistance à la rupture lors de la découpe à grande vitesse.
5Faible vibration du fil: améliore la stabilité de coupe, réduisant les défauts de surface de la gaufre comme les micro-fissures.

 

Applications pour le fil de diamant ultra-mince de précision pour la découpe de plaquettes de silicium en semi-conducteurs et PV:
1L'industrie des semi-conducteurs: découper des lingots de silicium en plaquettes ultra-minces pour les circuits intégrés, les MEMS et les appareils électriques.

2. Cellules solaires photovoltaïques (PV): couper des lingots de silicium monocristallin et polycristallin en plaquettes pour des panneaux solaires à haut rendement. Réduit les déchets de silicium, réduisant les coûts de production.

3. Traitement des matériaux avancés: utilisé pour couper des matériaux fragiles comme le saphir, le SiC et le verre.

 

Avantages pour Fil de diamant ultra-mince de précision pour la découpe de plaquettes de silicium par semi-conducteurs et PV:
1Efficacité plus élevée: vitesse de coupe plus rapide (jusqu'à 1,5 à 2,5 m/s) par rapport à la scie multifilée à base de lisier.
2. Moins de déchets de matériau: perte de coupe réduite à ~ 100 μm (contre 150~200 μm avec des scies à lisier).
3. Eco-friendly: élimine les déchets de lisier, réduisant l'impact environnemental.
Coût-efficacité: durée de vie plus longue du fil et productivité plus élevée, coûts de fabrication globaux inférieurs.

 

Fil diamanté ultrafin de précision pour la découpe de plaquettes de silicium PV à semi-conducteurs

Fil diamanté ultrafin de précision pour la découpe de plaquettes de silicium PV à semi-conducteurs

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