Module d'alimentation de 2MBI100N-060 IGBT 2-PACK IGBT 600V 100A
MODULE d'IGBT (série de N)
n
caractéristiques de n
• Place RBSOA
• Basse tension de saturation
• Moins de dissipation de puissance totale
• Caractéristique améliorée de FWD
• Inductance égarée interne réduite au minimum
• Fonction de limitation de surintensité (
~3 fois ont évalué le courant)
n
applications d'azote
• Commutation de puissance élevée
• C.A. contrôles de moteur
• C.C contrôles de moteur
• Alimentation d'énergie non interruptible
| Description |
1. IGBT est une intégration fonctionnelle des dispositifs de transistor MOSFET et de BJT de puissance en forme monolithique |
| 2. IGBT combine les meilleurs attributs de chacun des deux pour réaliser des caractéristiques optimales de dispositif. Chaque module se compose de deux qu'IGBTs dans une configuration de moitié-pont avec chaque transistor ayant une récupération ultra-rapide inverse-reliée font roue libre la diode. |
| 3. Tout le componentsand relie ensemble sont isolés dans la plaque de base de descente de la chaleur, offrant l'assemblage du système simplifié. |
| Caractéristique |
1). Place RBSOA |
| 2). Basse tension de saturation |
| 3). Fonction de limitation de surintensité (~3 fois ont évalué le courant) |
| 4). IGBT est dispositif de semi-conducteur de puissance de trois-terminal |
| 5). Opération à haute fréquence |
| Application |
1). Le C.A. conduisent l'inverseur |
| 2). Servocommande |
| 3). UPS, alimentation d'énergie non interruptible |
| 4). Alimentations d'énergie de soudure |
estimations maximum et caractéristiques de n
• Capacités absolues (Tc=25°C)
Unités d'estimations de symboles d'articles
Tension de collecteur-émetteur VCES 600V
Porte - ± 20V de la tension VGES d'émetteur
IC continu 100
Collecteur 1ms
IMPULSION 200 D'IC
Continu actuel - IC 100 1ms
- IMPULSION 200 D'IC
PC maximal 400W de dissipation de puissance
°C de Tj +150 de température de fonctionnement
Température de stockage Tstg -40∼ +125°C
Isolement VoltageA.C. 1min.Vis 2500V
Support *13.5
Terminaux *13.5
Note : *1 : Valeur recommandable ; 2.5∼ 3,5 nanomètre (M
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