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TECHNOLOGIE CIE., LTD DE L'ÉLECTRONIQUE D'ÉPICERIE

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Transistor diffus triple 3.0PF de silicium du transistor de puissance de 2SC5027 NPN NPN

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Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
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China Transistor diffus triple 3.0PF de silicium du transistor de puissance de 2SC5027 NPN NPN wholesale
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Transistor diffus triple 3.0PF de silicium du transistor de puissance de 2SC5027 NPN NPN
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Numéro de type :2SC5027
Point d'origine :La Chine
Quantité d'ordre minimum :10
Conditions de paiement :T/T, Western Union, ENGAGEMENT
Capacité d'approvisionnement :10000PCS
Délai de livraison :Stock
Détails d'emballage :sac
VCBO :300V
ÉPI :3.0PF
VCEO :300V
VEBO :7V
IC :100mA
IB :50mA
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TRIPLE du SILICIUM NPN de TRANSISTOR d'usage universel de diode de redresseur 2SC5027 DIFFUS

APPLICATIONS À HAUTE TENSION DE COMMUTATION ET D'AMPLIFICATEUR

* haute tension : VCEO = 300V
* petite capacité de sortie de collecteur : Cob=3.0pf

PARAMÈTRE SYMBOLE ESTIMATIONS UNITÉ
Tension de collecteur-base VCBO 300 V
Tension de collecteur-émetteur VCEO 300 V
Tension d'Émetteur-base VEBO 7 V
Courant de collecteur IC 100 mA
Courant bas IB 50 mA
Dissipation de puissance de collecteur PC 1,3 W
La température de jonction TJ 150 ℃
Température de stockage TSTG -55 | +150 ℃

Transistor diffus triple 3.0PF de silicium du transistor de puissance de 2SC5027 NPN NPN

Co Ltd de tehcnology de l'électronique d'épicerie

www.zd_zd_icmemorychip.com

Email : sales3@deli-ic.com
Skype : hkdeli881

Téléphone : 86-0755-82539981

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