IRF3205 Diode de redressement à usage général N-Channel 55V 110A (Tc) 200W (Tc) Trou traversant TO-220AB Technologie de processus avancée
Résistance ultra faible
Évaluation dynamique dv / dt
Température de fonctionnement 175 ° C
Commutation rapide
Entièrement évalué contre les avalanches
La description
Les transistors MOSFET de puissance HEXFET® avancés d'International Rectifier utilisent des techniques de traitement avancées pour obtenir une très faible résistance à l'état passant par zone de silicium. Cet avantage, combiné à la vitesse de commutation rapide et à la conception robuste des appareils pour lesquels les MOSFET de puissance HEXFET sont bien connus, fournit au concepteur un appareil extrêmement efficace et fiable pour une utilisation dans une grande variété d'applications.
Le boîtier TO-220 est universellement préféré pour toutes les applications commerciales et industrielles à des niveaux de dissipation de puissance d'environ 50 watts. La faible résistance thermique et le faible coût d'emballage du TO-220 contribuent à sa large acceptation dans toute l'industrie.
| Attributs du produit | Tout sélectionner |
| Les catégories | Produits semi-conducteurs discrets |
| | Transistors - FET, MOSFET - Unique |
| Fabricant | Infineon Technologies |
| Séries | HEXFET® |
| Emballage | Tube |
| Statut de la pièce | actif |
| Type FET | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (oxyde métallique) |
| Tension drain-source (Vdss) | 55V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 110A (Tc) |
| Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 mOhm à 62A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 146nC @ 10V |
| Vgs (max) | ± 20V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3247pF @ 25V |
| Fonction FET | - |
| Dissipation de puissance (max) | 200W (Tc) |
| Température de fonctionnement | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) |
| Type de montage | À travers le trou |
| Package de périphérique fournisseur | TO-220AB |
| Paquet / Caisse | TO-220-3 |
Deli Electronics Tehcnology Co Ltd
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