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DELI ELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD

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Accueil / produits / General Purpose Rectifier Diode /

résistance thermique typique de diode d'inverse de C.C de 1N4007 M7 de statut actif à haute tension de pièce

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Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
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China résistance thermique typique de diode d'inverse de C.C de 1N4007 M7 de statut actif à haute tension de pièce wholesale
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résistance thermique typique de diode d'inverse de C.C de 1N4007 M7 de statut actif à haute tension de pièce
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Numéro de type :1N4007 (M7)
Point d'origine :Japon
Quantité d'ordre minimum :10 pcs
Conditions de paiement :T/T, Western Union, ENGAGEMENT
Capacité d'approvisionnement :100000pcs
Délai de livraison :Stock
Détails d'emballage :Bobine
catégories :Les diodes - redresseurs - choisissent
Tension - inverse de C.C (Vr) (maximum) :1000v
Actuel - moyenne rectifiée (E/S) :1A
Tension - (Vf) en avant (maximum) @ si :1.1V @ 1A
Vitesse :Récupération standard >500ns, > 200mA (E/S)
Temps de rétablissement inverse (trr) :2µs
Actuel - fuite inverse @ Vr :5µA @ 1000V
Capacité @ Vr, F :15pF @ 4V, 1MHz
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diode d'usage universel 1000V standard 1A de diode de redresseur 1N4007 (M7)

Caractéristiques

Disponible libre d'halogène sur demande en ajoutant le suffixe - à haute fréquence
Fuite et coût bas à faible intensité

L'époxyde rencontre l'estimation de l'inflammabilité V-0 de l'UL 94

Niveau 1 de sensibilité d'humidité

Estimations maximum

• Température de fonctionnement : -55°C à +150°C

• Température de stockage : -55°C à +150°C

• Résistance thermique typique : 35°C/WJunction toLead du toCase 25°C/WJunction à 0,375

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Catégories Produits semiconducteurs discrets
　 Les diodes - redresseurs - choisissent
Fabricant Message publicitaire micro Co
Série -
Empaquetage Bande et bobine (TR)
Statut de partie Actif
Type de diode Standard
Tension - inverse de C.C (Vr) (maximum) 1000V
Actuel - moyenne rectifiée (E/S) 1A
Tension - (Vf) en avant (maximum) @ si 1.1V @ 1A
Vitesse Récupération standard >500ns, > 200mA (E/S)
Temps de rétablissement inverse (trr) 2µs
Actuel - fuite inverse @ Vr 5µA @ 1000V
Capacité @ Vr, F 15pF @ 4V, 1MHz
Type de support
Paquet/cas SMA
Paquet de dispositif de fournisseur SMA
Température de fonctionnement - jonction -55°C | 150°C

résistance thermique typique de diode d'inverse de C.C de 1N4007 M7 de statut actif à haute tension de pièce

Co Ltd de tehcnology de l'électronique d'épicerie
www.zd_zd_icmemorychip.com
Email : sales3@deli-ic.com
Skype : hkdeli881
Téléphone : 86-0755-82539981

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