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Diode à forte intensité de Schottky de redresseur de diode de MBR120VLSFT1G 20V 1A Schottky

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Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
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Diode à forte intensité de Schottky de redresseur de diode de MBR120VLSFT1G 20V 1A Schottky

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Numéro de type :MBR120VLSFT1G
Point d'origine :La Chine
Quantité d'ordre minimum :10pcs
Conditions de paiement :T/T, Western Union, ENGAGEMENT
Capacité d'approvisionnement :50000pcs
Délai de livraison :Stock
Détails d'emballage :Bobine
catégories :Les diodes - redresseurs - choisissent
Tension - inverse de C.C (Vr) (maximum) :20V
Actuel - moyenne rectifiée (E/S) :1A
Tension - (Vf) en avant (maximum) @ si :340mV @ 1A
Vitesse :=< rapide 500ns de récupération, > 200mA (E/S)
Actuel - fuite inverse @ Vr :600µA @ 20V
Température de fonctionnement - jonction :-65°C | 125°C
Paquet :SOD-123F
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Bâti d'usage universel de surface de Schottky 20V 1A de diode de diode de redresseur de MBR120VLSFT1G


Redresseur extérieur de puissance de Schottky de bâti
Paquet SOD−123 en plastique
Ce dispositif emploie le principe de barrière de Schottky avec une diode de puissance de metal−to−silicon de vaste zone. Dans le meilleur des cas adapté à la basse tension, rectification à haute fréquence ou en tant que librement roulant et diodes de protection de polarité dans les applications extérieures de bâti où la dimension compacte et le poids sont critiques au système. Ce paquet fournit également un facile à travailler avec l'alternative au style sans plomb de 34 paquets. En raison de sa petite taille, il est idéal pour l'usage dans les produits portatifs et à piles tels que les téléphones cellulaires et sans fil, les chargeurs, les ordinateurs portables, les imprimantes, le PDAs et les cartes de PCMCIA. Les applications typiques sont des convertisseurs d'AC−DC et de DC−DC, protection inverse de batterie, et « joint circulaire » des tensions d'alimentation multiples et de n'importe quelle autre application où les performances et la taille sont critiques.
Caractéristiques

• Guardring pour la protection d'effort
• Optimisé pour la tension en avant très basse
• la température de jonction 125°C fonctionnante
• L'époxyde rencontre l'UL 94 V−0 @ 0,125 po
• Paquet conçu pour l'Assemblée automatisée optimale de conseil
• Estimations d'ESD : Modèle de machine, C ; Modèle de corps humain, 3B
• Préfixe de NRVB pour applications des véhicules à moteur et autres exigeant des conditions uniques de rupture de site et de contrôle ; AEC−Q101 qualifié et PPAP capable
• Ces dispositifs sont Pb−Free, l'halogène Free/BFR libèrent et sont RoHS conforme
Caractéristiques mécaniques

• Options de bobine : MBR120VLSFT1G = 3 000 par 7 bande du ″ reel/8 millimètres MBR120VLSFT3G = 10 000 par 13 bande du ″ reel/8 millimètres
• Repérage de dispositif : L2V
• Indicateur de polarité : Bande de cathode
• Poids : mg 11,7 (approximativement)
• Cas : Époxyde, moulé
• Finition : Toutes les surfaces externes anticorrosion et avances terminales sont aisément Solderable
• La température d'avance et de surface de montage pour le soudure : maximum 260°C pendant 10 secondes
• Le dispositif répond à des exigences de MSL 1

Attributs de produit Choisissez tous
Catégories Produits semiconducteurs discrets
  Les diodes - redresseurs - choisissent
Fabricant SUR le semi-conducteur
Série -
Empaquetage Bande et bobine (TR)
Statut de partie Actif
Type de diode Schottky
Tension - inverse de C.C (Vr) (maximum) 20V
Actuel - moyenne rectifiée (E/S) 1A
Tension - (Vf) en avant (maximum) @ si 340mV @ 1A
Vitesse Récupération rapide =< 500ns=""> 200mA (E/S)
Actuel - fuite inverse @ Vr 600µA @ 20V
Capacité @ Vr, F -
Type de support Bâti extérieur
Paquet/cas SOD-123F
Paquet de dispositif de fournisseur SOD-123FL
Température de fonctionnement - jonction -65°C | 125°C




Diode à forte intensité de Schottky de redresseur de diode de MBR120VLSFT1G 20V 1A Schottky


Co Ltd de tehcnology de l'électronique d'épicerie
www.zd_zd_icmemorychip.com
Email : sales3@deli-ic.com
Skype : hkdeli881
Téléphone : 86-0755-82539981

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