Bâti d'usage universel DO-214AB de surface de Schottky 100V 3A de diode de diode de redresseur de MIC SS310
3A, 20V - redresseur de barrière de Schottky de bâti de la surface 200V
CARACTÉRISTIQUES
Perte de puissance faible de ●, rendement élevé
Idéal de ● pour le placement automatisé
Anneau de garde de ● pour la protection de surtension
Capacité élevée de courant de montée subite de ●
● conforme à la directive 2011/65/EU de RoHS et dans l'accord à WEEE 2002/96/EC
● sans halogène selon le CEI 61249-2-21
APPLICATIONS
Alimentation d'énergie de mode de commutation de ● (SMPS)
Adaptateurs de ●
Application d'éclairage de ●
Convertisseur de ●
DONNÉES MÉCANIQUES
Cas de ● : DO-214AB (SMC)
Le composé de moulage de ● rencontre l'estimation d'inflammabilité de l'UL 94V-0
Le numéro de la pièce de ● avec le suffixe « H » signifie AEC-Q101 qualifié
Le code d'emballage de ● avec le suffixe « G » signifie le composé vert (sans halogène)
Niveau de sensibilité d'humidité de ● : niveau 1, par J-STD-020
Terminal de ● : Avances plaque en fer blanc par matte, solderable par J-STD-002
Essai de favori de la classe 2 du rassemblement JESD 201 de ●
Polarité de ● : Comme marqué
Poids de ● : 0,21 g (approximativement)
| Attributs de produit |
Choisissez tous |
| Catégories |
Produits semiconducteurs discrets |
| |
Les diodes - redresseurs - choisissent |
| Fabricant |
Taïwan Semiconductor Corporation |
| Série |
- |
| Empaquetage |
Bande et bobine (TR) |
| Statut de partie |
Actif |
| Type de diode |
Schottky |
| Tension - inverse de C.C (Vr) (maximum) |
100V |
| Actuel - moyenne rectifiée (E/S) |
3A |
| Tension - (Vf) en avant (maximum) @ si |
850mV @ 3A |
| Vitesse |
Récupération rapide =< 500ns=""> 200mA (E/S) |
| Actuel - fuite inverse @ Vr |
100µA @ 100V |
| Capacité @ Vr, F |
- |
| Type de support |
Bâti extérieur |
| Paquet/cas |
DO-214AB, SMC |
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