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GAZON d'usage universel 123F de bâti de surface de C.C de Schottky 60V 1A de diode de redresseur de PMEG6010CEH

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Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
Contact:MrsVIVI
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GAZON d'usage universel 123F de bâti de surface de C.C de Schottky 60V 1A de diode de redresseur de PMEG6010CEH

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Numéro de type :PMEG6010CEH
Point d'origine :La Chine
Quantité d'ordre minimum :3000 pcs
Conditions de paiement :T/T, Western Union, ENGAGEMENT
Capacité d'approvisionnement :30000PCS
Délai de livraison :Stock
Détails d'emballage :3000pcs/reel
catégories :Les diodes - redresseurs - choisissent
Tension - inverse de C.C (Vr) (maximum) :60V
Actuel - moyenne rectifiée (E/S) :1A (C.C)
Tension - (Vf) en avant (maximum) @ si :660mV @ 1A
Vitesse :=< rapide 500ns de récupération, > 200mA (E/S)
Actuel - fuite inverse @ Vr :50µA @ 60V
Capacité @ Vr, F :68pF @ 1V, 1MHz
Température de fonctionnement - jonction :150°C (maximum)
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Bâti d'usage universel SOD-123F de surface de Schottky 60V 1A (C.C) de diode de diode de redresseur de PMEG6010CEH

.
Pro fi le de produit
1,1 description générale
fi général ers de recti de barrière de Schottky d'application de ciency E-F maximum planaire de fi (MÉGA) avec
anneau de garde intégré pour la protection d'effort, encapsulé dans petit et le fl à l'avance
Paquets Surface-montés de plastique de (SMD) de dispositif.
1,2 caractéristiques
I courant en avant : SI ≤ 1A
Je tension inverse : ≤ 60 V DE VR
I tension en avant très basse
I petit et fl aux paquets de plastique de l'avance SMD
1,3 applications
I cation de fi de recti de basse tension
I conversion E-F élevée de C.C-à-C.C de ciency de fi
Je commute l'alimentation d'énergie de mode
Je renverse la protection de polarité
I applications de consommation de puissance faible

Attributs de produit Choisissez tous
Catégories Produits semiconducteurs discrets
  Les diodes - redresseurs - choisissent
Fabricant Nexperia USA Inc.
Série -
Empaquetage Bande et bobine (TR)
Statut de partie Actif
Type de diode Schottky
Tension - inverse de C.C (Vr) (maximum) 60V
Actuel - moyenne rectifiée (E/S) 1A (C.C)
Tension - (Vf) en avant (maximum) @ si 660mV @ 1A
Vitesse Récupération rapide =< 500ns=""> 200mA (E/S)
Actuel - fuite inverse @ Vr 50µA @ 60V
Capacité @ Vr, F 68pF @ 1V, 1MHz
Type de support Bâti extérieur
Paquet/cas SOD-123F
Paquet de dispositif de fournisseur SOD-123F
Température de fonctionnement - jonction 150°C (maximum)

GAZON d'usage universel 123F de bâti de surface de C.C de Schottky 60V 1A de diode de redresseur de PMEG6010CEH

Co Ltd de tehcnology de l'électronique d'épicerie
www.zd_zd_icmemorychip.com
Email : sales3@deli-ic.com
Skype : hkdeli881
Téléphone : 86-755-82539981

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