Silicium NPN PowerTransistor de transistors de 2SD1899 NPN PNP
DESCRIPTION
·Basse tension de saturation de collecteur
·avalanche 100% examinée
·Variations minimum de Sort-à-sort pour la représentation robuste de dispositif et l'opération fiable
APPLICATIONS
·Applications élevées de fréquence de transition
Caractéristiques
Catégorie : BJT - usage universel
Fabricant : TECHNOLOGIE DE RENESAS
Courant de collecteur (C.C) : 3 (A)
Tension de collecteur-base : 60 (V)
Tension de collecteur-émetteur : 60 (V)
Tension d'Émetteur-base : 7 (V)
Fréquence : 120 (mégahertz)
Dissipation de puissance : 2 (W)
Montage : Bâti extérieur
Chaîne fonctionnante de Temp : -55C à 150C
Type de paquet : TO-252
Compte de Pin : 2 +Tab
Nombre d'éléments : 1
Classification de température de fonctionnement : Militaire
Catégorie : Puissance bipolaire
Rad durci : Non
Polarité de transistor : NPN
De puissance de sortie : Non requis (W)
Configuration : Simple
Gain actuel de C.C : 60@0.2A @2V/50@2A @2V

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