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Type d'usage universel configuration simple du transistor NPN de C.C 0.15A de 2SD2227S 50V

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Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
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Type d'usage universel configuration simple du transistor NPN de C.C 0.15A de 2SD2227S 50V

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Numéro de type :2SD2227S
Point d'origine :Japon
Quantité d'ordre minimum :10 pcs
Conditions de paiement :T/T, Western Union, ENGAGEMENT
Capacité d'approvisionnement :10000PCS
Délai de livraison :Stock
Détails d'emballage :Bobine
Polarité de transistor :NPN
Tension de collecteur-émetteur VCEO maximum :50V
Tension de collecteur-base VCBO :60V
Tension basse VEBO d'émetteur :12V
Courant de collecteur maximum de C.C :0.15A
Produit pi de largeur de bande de gain :250 mégahertz
Température de fonctionnement maximum :+ 150 C
HFE de gain actuel de C.C maximum :1200 à 1 mA à 5 V
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Transistor d'usage universel 50V 0.15A de transistors de 2SD2227S NPN PNP

TRANSISTOR de PUISSANCE MOYENNE (25V, 1.2V), TRANSISTOR D'USAGE UNIVERSEL (50V, 0.15A)

Caractéristiques

1) Gain actuel élevé de C.C.

2) Tension élevée d'émetteur-base. (VCBO=12V)

3) Basse tension de saturation. (Type. VCE (reposé) =0.3V à IC/IB=50mA/5mA)

Attribut de produit Valeur d'attribut
Style de support : SMD/SMT
Polarité de transistor : NPN
Configuration : Simple
Tension de collecteur-émetteur VCEO maximum : 50V
Tension de collecteur-base VCBO : 60V
Tension basse VEBO d'émetteur : 12V
Courant de collecteur maximum de C.C : 0.15A
Produit pi de largeur de bande de gain : 250 mégahertz
Température de fonctionnement maximum : + 150 C
HFE de gain actuel de C.C maximum : 1200 à 1 mA à 5 V
Courant de collecteur continu : 0.15A
Palladium - dissipation de puissance : 300 mW

Type d'usage universel configuration simple du transistor NPN de C.C 0.15A de 2SD2227S 50V

Co Ltd de tehcnology de l'électronique d'épicerie
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Email : sales3@deli-ic.com
Skype : hkdeli881
Téléphone : 86-0755-82539981

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