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TECHNOLOGIE CIE., LTD DE L'ÉLECTRONIQUE D'ÉPICERIE

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Accueil / produits / NPN PNP Transistors /

Transistor de puissance de BFS505 15V rf, transistor de bâti de surface de 18mA 9GHz 150mW

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TECHNOLOGIE CIE., LTD DE L'ÉLECTRONIQUE D'ÉPICERIE
Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
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China Transistor de puissance de BFS505 15V rf, transistor de bâti de surface de 18mA 9GHz 150mW wholesale
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Transistor de puissance de BFS505 15V rf, transistor de bâti de surface de 18mA 9GHz 150mW
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Numéro de type :BFS505
Point d'origine :La Chine
Quantité d'ordre minimum :3000 pcs
Conditions de paiement :T/T, Western Union, ENGAGEMENT
Capacité d'approvisionnement :60000PCS
Délai de livraison :Stock
Détails d'emballage :3000pcs/reel
catégories :Transistors - bipolaires (BJT) - rf
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum) :15V
Fréquence - transition :9GHz
Chiffre de bruit (type de DB @ f) :1.2dB | 2.1dB @ 900MHz
Puissance - maximum :150mW
Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce :60 @ 5mA, 6V
Actuel - collecteur (IC) (maximum) :18mA
Température de fonctionnement :175°C (TJ)
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Bâti de surface du transistor NPN 15V 18mA 9GHz 150mW des transistors rf de BFS505 NPN PNP

NPN transistor de bande large de 9 gigahertz

CARACTÉRISTIQUES
• Consommation à faible intensité
• Gain de puissance élevée
• Figure à faible bruit
• Haute fréquence de transition
• La métallisation d'or s'assure
excellente fiabilité
• Enveloppe SOT323.
DESCRIPTION
Transistor de NPN en plastique SOT323
enveloppe.
On le prévoit pour des amplificateurs de puissance faible,
oscillateurs et mélangeurs particulièrement dedans
Communication de portable de rf
équipement (téléphones mobiles, sans fil
téléphones, bipeurs) jusqu'à 2 gigahertz.

Attributs de produit Choisissez tous
Catégories Produits semiconducteurs discrets
　 Transistors - bipolaires (BJT) - rf
Fabricant NXP USA Inc.
Série -
Empaquetage Bande et bobine (TR)
Statut de partie Obsolète
Type de transistor NPN
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum) 15V
Fréquence - transition 9GHz
Chiffre de bruit (type de DB @ f) 1.2dB | 2.1dB @ 900MHz
Gain -
Puissance - maximum 150mW
Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce 60 @ 5mA, 6V
Actuel - collecteur (IC) (maximum) 18mA
Température de fonctionnement 175°C (TJ)
Type de support Bâti extérieur
Paquet/cas SC-70, SOT-323
Paquet de dispositif de fournisseur SOT-323-3

Transistor de puissance de BFS505 15V rf, transistor de bâti de surface de 18mA 9GHz 150mW

Co Ltd de tehcnology de l'électronique d'épicerie
www.zd_zd_icmemorychip.com
Email : sales3@deli-ic.com
Skype : hkdeli881
Téléphone : 86-0755-82539981

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