Bâti de la surface 417mW du P-canal 60V 300mA de transistors de BSH201 NPN PNP (merci) (merci)
transistor de MOS du mode BSH201 d'amélioration de P-canal
DONNÉES DE RÉFÉRENCE RAPIDE DE SYMBOLE DE CARACTÉRISTIQUES • Basse tension de seuil VDS = -60 V • Commutation rapide • Logique à niveau compatible identification = -0,3 A • Ω extérieur subminiature du ≤ 2,5 du paquet le RDS de bâti (DESSUS) (VGS = -10 V)
DESCRIPTION GÉNÉRALE GOUPILLANT SOT23
P-canal, mode d'amélioration, niveau de logique de DESCRIPTION de PIN, transistor de puissance d'effet de champ. Ce dispositif a la tension de seuil de porte du bas 1 et la commutation extrêmement rapide lui faisant l'idéal pour 2 applications à piles de source et l'interface numérique à grande vitesse. drain 3
Le BSH201 est fourni dans le paquet subminiature du support SOT23 extérieur.
| Attributs de produit |
Choisissez tous |
| Catégories |
Produits semiconducteurs discrets |
| |
Les transistors - FETs, transistors MOSFET - choisissent |
| Fabricant |
Nexperia USA Inc. |
| Série |
- |
| Empaquetage |
Bande et bobine (TR) |
| Statut de partie |
Actif |
| Type de FET |
P-canal |
| Technologie |
Transistor MOSFET (oxyde de métal) |
| Vidangez à la tension de source (Vdss) |
60V |
| Actuel - drain continu (identification) @ 25°C |
300mA (merci) |
| Conduisez la tension (le RDS maximum dessus, la minute le RDS dessus) |
4.5V, 10V |
| Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs |
2,5 ohms @ 160mA, 10V |
| Identification de Vgs (Th) (maximum) @ |
1V @ 1mA (minute) |
| Déclenchez la charge (Qg) (maximum) @ Vgs |
3nC @ 10V |
| Vgs (maximum) |
±20V |
| Capacité (Ciss) (maximum) @ Vds d'entrée |
70pF @ 48V |
| Caractéristique de FET |
- |
| Dissipation de puissance (maximum) |
417mW (merci) |
| Température de fonctionnement |
-55°C | 150°C (TJ) |
| Type de support |
Bâti extérieur |
| Paquet de dispositif de fournisseur |
TO-236AB |
Co Ltd de tehcnology de l'électronique d'épicerie
www.zd_zd_icmemorychip.com
Email : sales3@deli-ic.com
Skype : hkdeli881
Téléphone : 86-0755-82539981
