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TECHNOLOGIE CIE., LTD DE L'ÉLECTRONIQUE D'ÉPICERIE

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Commutateur latéral élevé vertical de transistor de puissance de transistor MOSFET de puissance de BUK201-50Y bas sur la résistance d'état

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Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
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China Commutateur latéral élevé vertical de transistor de puissance de transistor MOSFET de puissance de BUK201-50Y bas sur la résistance d'état wholesale
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Commutateur latéral élevé vertical de transistor de puissance de transistor MOSFET de puissance de BUK201-50Y bas sur la résistance d'état
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Numéro de type :BUK201-50Y
Point d'origine :Malaisie
Quantité d'ordre minimum :10 pcs
Conditions de paiement :T/T, Western Union, ENGAGEMENT
Capacité d'approvisionnement :5000
Délai de livraison :Stock
Détails d'emballage :Tube
Tensions de batterie :50V
Tensions inverses de batterie :32V
Courant continu de charge :15A
Dissipation de puissance totale :83.3W
Courant d'entrée continue :+-5MA
Courant continu de statut :+-5MA
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Commutateur latéral élevé du transistor TOPFET de PowerMOS de transistors de BUK201-50Y NPN PNP

DESCRIPTION
La température monolithique et
commutateur électrique protégé par surcharge
basé sur la technologie de transistor MOSFET dans a
Courant nominal de charge (OIN)
enveloppe en plastique de 5 bornes, configurée
comme commutateur latéral élevé simple.
CARACTÉRISTIQUES
Commutateur vertical de la puissance DMOS
Basse résistance de sur-état
Entrée compatible de logique de 5 V
Protection de surchauffe -
remises d'individu avec l'hystérésis
Protection de surcharge contre
charge de court-circuit avec
limitation de courant de sortie ;
verrouillé - remise par l'entrée
Charge de tension d'alimentation élevée
protection
Le sousvoltage d'approvisionnement ferment à clef
Indication de statut pour la surcharge
protection activée
Indication de statut diagnostique
de la charge de circuit ouvert
Très bas courant tranquille
La tension maintenant pour s'éteignent de
charges inductives
Protection d'ESD sur toutes les goupilles
Batterie inverse et
protection de surtension

Commutateur latéral élevé vertical de transistor de puissance de transistor MOSFET de puissance de BUK201-50Y bas sur la résistance d'étatCommutateur latéral élevé vertical de transistor de puissance de transistor MOSFET de puissance de BUK201-50Y bas sur la résistance d'état

Co Ltd de tehcnology de l'électronique d'épicerie
www.zd_zd_icmemorychip.com
Email : sales3@deli-ic.com
Skype : hkdeli881
Téléphone : 86-0755-82539981

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