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Comité technique bipolaire du transistor 38W de Npn de la Manche de FDPF10N60NZN par le trou à 220F

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Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
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Comité technique bipolaire du transistor 38W de Npn de la Manche de FDPF10N60NZN par le trou à 220F

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Numéro de type :FDPF10N60NZ
Point d'origine :La Chine
Quantité d'ordre minimum :10 pcs
Conditions de paiement :T/T, Western Union, ENGAGEMENT
Capacité d'approvisionnement :10000PCS
Délai de livraison :Stock
Détails d'emballage :Tube
Catégorie :TRANSISTOR MOSFET DE PUISSANCE
Tension maximum de source de drain (v) :600v
Tension de source de porte maximum (v) :±25V
Tension maximum de seuil de porte (v) :5V
Courant continu maximum de drain (a) :10A
Courant maximum de fuite de source de porte (Na) :10000NA
Résistance maximum de source de drain (mOhm) :750@10V
Charge typique @ Vgs (OR) de porte :23@10V
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N-canal 600V 10A (comité technique) 38W (comité technique) de transistors de FDPF10N60NZ NPN PNP par le trou TO-220F

Transistor MOSFET 600V, 10A, 0,75 de N-canal
Caractéristiques
•Le RDS (dessus) = 0,64  (type.) @ VGS = 10V, identification = 5A
• Basse charge de porte (type. 23nC)
• Bas Crss (type. 10pF)
• Commutation rapide
• Avalanche 100% examinée
• Capacité améliorée de dv/dt
• Capacité améliorée par ESD
• RoHS conforme

Description
Ceux-ci effet de champ de puissance de mode d'amélioration de N-canal
des transistors sont produits utilisant la classe des propriétaires de Fairchild, planaire
rayure, technologie de DMOS.
Cette technologie de pointe a été particulièrement travaillée pour réduire au minimum
la résistance de sur-état, fournissent la commutation supérieure
représentation, et impulsion de haute énergie de tenue dans l'avalanche
et mode de commutation. Ces dispositifs sont bien adaptés pour la haute
alimentations d'énergie commutées efficaces de mode et facteur de puissance active
correction

UE RoHS
Conforme avec l'exemption
ECCN (US) EAR99
Catégorie de produit Transistor MOSFET de puissance
Configuration Simple
Technologie transformatrice UniFET II
Mode de la Manche Amélioration
Type de la Manche N
Nombre d'éléments par puce 1
Tension maximum de source de drain (v) 600
Tension de source de porte maximum (v) ±25
Tension maximum de seuil de porte (v) 5
Courant continu maximum de drain (a) 10
Courant maximum de fuite de source de porte (Na) 10000
Maximum IDSS (uA) 1
Résistance maximum de source de drain (mOhm) 750@10V
Charge typique @ Vgs (OR) de porte 23@10V
Charge typique @ 10V (OR) de porte 23
Capacité typique @ Vds (PF) d'entrée 1110@25V
Dissipation de puissance maximum (mW) 38000
Temps typique d'automne (NS) 50
Temps de montée typique (NS) 50
Temps de retard d'arrêt typique (NS) 70
Temps de retard d'ouverture typique (NS) 25
Température de fonctionnement minimum (°C) -55
Température de fonctionnement maximum (°C) 150
Empaquetage Tube
Paquet de fournisseur TO-220FP
Nom de forfait standard TO-220
Compte de Pin 3
Montage Par le trou
Taille de paquet 15,87
Longueur de paquet 10,16
Largeur de paquet 4,7
Carte PCB changée 3
Étiquette Étiquette
Forme d'avance Par le trou

Comité technique bipolaire du transistor 38W de Npn de la Manche de FDPF10N60NZN par le trou à 220F

Co Ltd de tehcnology de l'électronique d'épicerie
www.zd_zd_icmemorychip.com
Email : sales3@deli-ic.com
Skype : hkdeli881
Téléphone : 86-0755-82539981

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