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Bas conducteur latéral d'IR2011S 35ns, conducteur à grande vitesse 10V - 20V de transistor MOSFET de puissance

Bas conducteur latéral d'IR2011S 35ns, conducteur à grande vitesse 10V - 20V de transistor MOSFET de puissance
  • Bas conducteur latéral d'IR2011S 35ns, conducteur à grande vitesse 10V - 20V de transistor MOSFET de puissance
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