TECHNOLOGIE CIE., LTD DE L'ÉLECTRONIQUE D'ÉPICERIE

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0,02 un transistor extérieur de bâti, transistors de puissance de Npn de silicium VFR3VD31E131T51B

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TECHNOLOGIE CIE., LTD DE L'ÉLECTRONIQUE D'ÉPICERIE
Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
Contact:MrsVIVI
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0,02 un transistor extérieur de bâti, transistors de puissance de Npn de silicium VFR3VD31E131T51B

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Numéro de type :VFR3VD31E131T51B
Point d'origine :Japon
Quantité d'ordre minimum :10pcs
Conditions de paiement :T / T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :1000000
Délai de livraison :3-5days
Détails d'emballage :Bobine ou paquet ou plateau de tube
Estimation maximum de tension :25 volts continu
Estimation actuelle maximum :0,02 A
Montage :Par le trou
Longueur de produit :8 mm
Température de fonctionnement :°C -25 à 85
Arrêt :radial
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Détails rapides
Marque :
Tout neuf
Numéro de type :
2SC3264Y
Paquet :
TO3P
D/C :
Le plus nouveau
Type :
Conduisez IC, composants
Catégories :
Circuits intégrés (ICs)
Numéro de la pièce :
2SC3264Y
Empaquetage de dispositif de fournisseur :
TO3P
Type de support :
Bâti extérieur, dans tout le trou
Température de fonctionnement :
Standard
Empaquetage :
Le volume de plateau de tube de bande magnétique
Actuel-approvisionnement :
Tension standard
Entrée-sortie :
Standard
Numéro de la pièce bas :
2SC3264Y

0,02 un transistor extérieur de bâti, transistors de puissance de Npn de silicium VFR3VD31E131T51B

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