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TECHNOLOGIE CIE., LTD DE L'ÉLECTRONIQUE D'ÉPICERIE

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Par le transistor de puissance élevée de trou, transistor MOSFET N-CH 500V 14A TO220F de la Manche d'AOTF14N50 N

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Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
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China Par le transistor de puissance élevée de trou, transistor MOSFET N-CH 500V 14A TO220F de la Manche d'AOTF14N50 N wholesale
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Par le transistor de puissance élevée de trou, transistor MOSFET N-CH 500V 14A TO220F de la Manche d'AOTF14N50 N
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Numéro de type :AOTF14N50
Point d'origine :Originale
Quantité d'ordre minimum :10pcs.
Conditions de paiement :T / T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :100000
Délai de livraison :3-5days
Détails d'emballage :Tube
Type d'emballage :Dans tout le trou
Type :Transistor de triode
Condition :tout nouveau et original
Application :Applications d'amplificateur de puissance
Garantie :365days
Description :Transistor de la puissance LDMOS
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Numéro de la pièce : AOTF14N50
Description : Transistor MOSFET N-CH 500V 14A TO220F
Catégorie : Semi-conducteur discret Products>>FETs - choisissez
Empaquetage : Tube
Type de FET : N-canal
Technologie : Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vidangez à la tension de source (Vdss) : 500V
Actuel - continu drain) (d'identification/25°C : 14A (comité technique)
Tension d'entraînement (le RDS maximum dessus, minute le RDS dessus) : 10V
Le RDS sur (maximum)/identification, Vgs : 380 mOhm/7A, 10V
Vgs (Th) (maximum)/identification : 4.5V/250µA
Porte charge (Qg) (maximum)/Vgs : 51nC/10V
Vgs (maximum) : ±30V
Entrée capacité (Ciss) (maximum)/Vds : 2297pF/25V
Caractéristique de FET : -
Dissipation de puissance (maximum) : 50W (comité technique)
Température de fonctionnement : - 55°C | 150°C (TJ)
Type de support : Par le trou
Paquet de dispositif de fournisseur : TO-220-3F
Paquet/cas : Plein paquet TO-220-3

Par le transistor de puissance élevée de trou, transistor MOSFET N-CH 500V 14A TO220F de la Manche d'AOTF14N50 N

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Skype : hkdeli881
Site Web : www.deli-ic.com
Téléphone : 86-0755-82539981

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