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IRGB10B60KDPBF # transistor bipolaire isolé de porte avec la diode molle ultra-rapide IGBT de récupération
600V 22A 156W TO220AB
Numéro de la pièce | IRGB10B60KDPBF |
Fabricant | Infineon |
Transistors discrets de produits semiconducteurs de catégories - IGBTs - fabricant simple | Infineon |
Emballage | Tube |
Original | L'Allemagne |
Statut de partie | Actif |
Type d'IGBT | TNP |
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum) | 600V |
Actuel - collecteur (IC) (maximum) | 22A |
Actuel - collecteur pulsé (missile aux performances améliorées) | 44A |
Vce (dessus) (maximum) @ Vge IC | 2.2V @ 15V 10A |
Puissance - maximum | 156W |
Énergie de changement | 140µJ (dessus) 250µJ () |
Type d'entrée | Norme |
Charge de porte | 38nC |