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Transistor MOSFET IGBT 300W d'IMMERSION d'IXGH40N60C2D1 HiPer FASTTM TO-247 40A 600V

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Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
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Transistor MOSFET IGBT 300W d'IMMERSION d'IXGH40N60C2D1 HiPer FASTTM TO-247 40A 600V

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Number modèle :IXGH40N60C2D1
Point d'origine :LES Etats-Unis
Quantité d'ordre minimum :10pcs
Conditions de paiement :T/T, Western Union, paypal
Capacité d'approvisionnement :10,000pcs
Délai de livraison :dans 2-3days courant
Détails de empaquetage :Tube
PN :IXGH40N60C2D1
Marque :IXYS
Original :LES Etats-Unis
paquet :IMMERSION TO-247
Actuel :40A
Tension :600V
puissance :300W
Type :Transistor MOSFET IGBT HiPer FASTTM IGBT avec la diode
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IMMERSION TO-247 HiPer FASTTM IGBTs d'IXGH40N60C2D1 # de 75A 600V 300W avec le transistor MOSFET IGBT de diode

C2-Class IGBTs à grande vitesse

Caractéristiques
  • IGBT très à haute fréquence
  • Place RBSOA
  • Capacité de manipulation à forte intensité

Applications

  • Alimentations d'énergie non interruptible (UPS)
  • Alimentations de Commutateur-mode et d'énergie de Résonnant-mode
  • Contrôle de vitesse de moteur à C.A.
  • Commandes de servo et de robot de C.C
  • Couperets de C.C

Avantages

  • Densité de puissance élevée
  • Vitesses de changement rapides mêmes pour des applications à haute fréquence
  • Paquets montables extérieurs de puissance élevée

Transistor MOSFET IGBT 300W d'IMMERSION d'IXGH40N60C2D1 HiPer FASTTM TO-247 40A 600V

Tehcnology Co.,Ltd. de l'électronique d'épicerie
Email : sales3@deli-ic.com
Skype : hkdeli881
Contact : VIVI-CHEN

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