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TECHNOLOGIE CIE., LTD DE L'ÉLECTRONIQUE D'ÉPICERIE

Ville:shenzhen

Province / État:guangdong

Pays / Région:china

Contact:MrsVIVI

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China Transistors MOSFET TO-252AA de puissance de la Manche de RFD14N05LSM 14A 50V 0.1Ohm N wholesale

Transistors MOSFET TO-252AA de puissance de la Manche de RFD14N05LSM 14A 50V 0.1Ohm N

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Number modèle :RFD14N05LSM

Point d'origine :LES Etats-Unis

Quantité d'ordre minimum :10pcs

Conditions de paiement :T/T, Western Union, paypal

Capacité d'approvisionnement :10,000pcs

Délai de livraison :dans 2-3days courant

Détails de empaquetage :75pcs/tube

PN :RFD14N05LSM

Marque :SUR

Original :LES Etats-Unis

Type :Transistors MOSFET de puissance de N-canal de niveau de logique

paquet :Bâti extérieur de TO-252AA

Actuel :14A

Tension :50V

Indutance :0.1Ohm

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Bâti de surface des transistors MOSFET TO-252AA de puissance de N-canal de niveau de logique de RFD14N05LSM 14A 50V 0.1Ohm

Introduction :

Le RFD14N05LSM est 14 A, 50 V, 0,1 Ω, transistor MOSFET de puissance de niveau de logique de N-canal.

Il vient dans un paquet de TO-252AA et de températures ambiantes d'Operting du °C -55 à 175 °C.

Il est fabriqué utilisant le processus de MegaFET.

Ce processus, qui emploie des tailles de caractéristique approchant ceux des circuits intégrés de LSI,

donne l'utilisation optima du silicium, ayant pour résultat la représentation exceptionnelle.

Caractéristiques :

Type de FET : N-ch

Tension de Drain-à-source [Vdss] : 50V

Drain-source sur Résistance-maximum : 0.1Ω

Dissipation de puissance évaluée : 48 W

Charge de porte de Qg : 40nC

Paquet : TO-252AA

Type de Mouting : Bâti extérieur

Transistor MOSFET de puissance de TrenchFET®

100 % Rg et UIS a examiné

APPLICATIONS

• Convertisseurs de DC/DC

• Inverseurs de DC/AC

• Commandes de moteur

Transistors MOSFET TO-252AA de puissance de la Manche de RFD14N05LSM 14A 50V 0.1Ohm N

Tehcnology Co.,Ltd. de l'électronique d'épicerie
Email : sales3@deli-ic.com
Skype : hkdeli881
Contact : VIVI-CHEN

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