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TECHNOLOGIE CIE., LTD DE L'ÉLECTRONIQUE D'ÉPICERIE

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GT20J301 Toshiba a isolé la Manche bipolaire IGBT du silicium N de transistor de porte

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Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
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China GT20J301 Toshiba a isolé la Manche bipolaire IGBT du silicium N de transistor de porte wholesale
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GT20J301 Toshiba a isolé la Manche bipolaire IGBT du silicium N de transistor de porte
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Number modèle :GT20J301
Point d'origine :Le Japon
Quantité d'ordre minimum :10pcs
Conditions de paiement :T/T, Western Union, paypal
Capacité d'approvisionnement :10,000pcs
Délai de livraison :dans 2-3days courant
Détails de empaquetage :bobine
PN :GT20J301
Marque :Toshiba
Original :Le Japon
Type :La Manche IGBT du silicium N de transistor
Tension :2.7V (maximum)
Matériel :Original
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Toshiba a isolé la Manche bipolaire IGBT du silicium N de transistor de porte

APPLICATIONS DE CHANGEMENT DE PUISSANCE ÉLEVÉE
APPLICATIONS DE CONTRÔLE DE MOTEUR


●La 3ème génération
●Amélioration-mode
●Grande vitesse. : tf=0.30pμs (maximum)
●Basse tension de saturation : VCE (s'est reposé) =2.7V (maximum)
●FRD a inclus entre l'émetteur et le collecteur

GT20J301 Toshiba a isolé la Manche bipolaire IGBT du silicium N de transistor de porte

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Email : sales3@deli-ic.com
Skype : hkdeli881
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