Planaire épitaxial de silicium de diodes de protection de la DIODE 24VWM SOD323 47VC ESD de DF2B29FUH3F TV
1.Applications• Protection d'ESD
Note : Ce produit est conçu pour la protection contre la décharge électrostatique (ESD) et n'est pas prévu pour tout autre
but, y compris, notamment, régulation de tension.
2.Features
(1) AEC-Q101 qualifié (note 1)
Note 1 :
Pour information les informations détaillées, entrez en contact svp à nos ventes.
Note :
Utilisant sans interruption sous des charges lourdes (par exemple l'application de la haute température/actuel/tension et
la modification importante dans la température, etc.) peut faire diminuer ce produit dans la fiabilité sensiblement même
si les conditions de fonctionnement (c.-à-d. température de fonctionnement/actuel/tension, etc.) sont dans les capacités absolues.
Veuillez concevoir la fiabilité appropriée lors de passer en revue le manuel de fiabilité de semi-conducteur de Toshiba
(« Manipulant » de précautions/« sous-sollicitant le concept et méthodes ») et différentes données de fiabilité (c.-à-d. essai de fiabilité
rapport et taux d'échec, etc. prévus).
Note 1 : Selon IEC61000-4-2.
Note 2 : Selon ISO10605. (@ C = 330 PF, R = kΩ 2)
Note 3 : Selon IEC61000-4-5.
Note 1 : Basé sur l'impulsion d'IEC61000-4-5 8/20µs.
Note 2 : Paramètre de TLP : Z0 = 50Ω, tp = 100 NS, TR = 300 picosecondes, faisant la moyenne de la fenêtre : T1 = 30 NS au T2 = 60 NS,
extraction de résistance dynamique utilisant un ajustement des moindres carrés des caractéristiques de TLP à la PIP entre 8 A à 16 A.
Note 3 : Garanti par conception.
Tehcnology Co.,Ltd de l'électronique d'épicerie
Email : sales3@deli-ic.com
Skype : hkdeli881
Contact : VIVI-CHEN
