1MB RAM, unité centrale de traitement de 480 mégahertz, Art Accelerator, L1 cachette, interface externe de mémoire, grand ensemble de périphériques

Caractéristiques

Noyau

• noyau à 32 bits d'Arm® Cortex®-M7 avec le double

cachette FPU et L1 de précision : 16 K bytes de données

et 16 K bytes de cachette d'instruction ; fréquence

jusqu'à 480 mégahertz, MPU, 1027 DMIPS/

2,14 instructions de DMIPS/MHz (Dhrystone 2,1), et de DSP

Souvenirs

• Octets de jusqu'à 2 M de mémoire instantanée avec le moment lu - écrire l'appui

• Octet de jusqu'à 1 M de RAM : 192 octets de K de TCM RAM

(inc. 64 K bytes d'ITCM RAM + 128 octets de K de DTCM RAM pour des routines critiques de temps),

Jusqu'à 864 K bytes d'utilisateur SRAM, et 4 K bytes de SRAM dans le domaine de secours

• Interface double mode de mémoire de Quadruple-SPI courant jusqu'à 133 mégahertz

• Contrôleur externe flexible de mémoire avec jusqu'à le bus de données à 32 bits :

SRAM, PSRAM, SDRAM/LPSDR SDRAM, NOR/NAND

La mémoire instantanée a synchronisé jusqu'à 100 mégahertz en mode synchrone

• Unité de calcul de centre de détection et de contrôle

Sécurité

• Dispositif de protection en cas de renversement, PC-ROP, entrée polyvalente de bourreur actif/sorties

• Jusqu'à 168 ports d'entrée-sortie avec la remise de capacité d'interruption et la gestion de puissance

• 3 domaines distincts de puissance qui peuvent horloge-être indépendamment déclenchés ou commutés :

– D1 : capacités performantes

– D2 : périphériques et minuteries de communication

– D3 : contrôle remis à zéro/horloge/gestion de puissance

• approvisionnement d'application de 1,62 à 3,6 V et I/Os

• POR, PDR, PVD et BOR

• Puissance consacrée d'USB enfonçant un régulateur interne de 3,3 V pour fournir le PHYs interne

• Régulateur incorporé (LDO) avec la sortie extensible configurable pour fournir les circuits numériques

• Graduation de tension en mode de course et d'arrêt (6 gammes configurables)

• Régulateur de secours (~0,9 V)

• Référence de tension pour peripheral/VREF+ analogue

• Modes de basse puissance : Sommeil, arrêt, remplaçant et chargement de batterie de soutien de VBAT

Consommation de basse puissance

• Mode opérationnel de batterie de VBAT avec la capacité de remplissage

• État de puissance d'unité centrale de traitement et de domaine surveillant des goupilles

• µA 2,95 dans le mode veille (SRAM de secours, RTC/LSE DESSUS)

Gestion d'horloge

• Oscillateurs internes : 64 mégahertz SES, 48 mégahertz HSI48, 4 mégahertz CSI, 32 kilohertz de LSI

• Oscillateurs externes : 4-48 mégahertz de HSE, 32,768 kilohertz LSE

• 3× PLLs (1 pour l'horloge système, 2 pour des horloges de noyau) avec le mode partiel

Tous les paquets sont ECOPACK®2 conformes

Résumé de dispositif du tableau 1.

Numéro de la pièce de référence

STM32H742xI/G

STM32H742VI, STM32H742ZI,

STM32H742II, STM32H742BI,

STM32H742XI, STM32H742AI,

STM32H742VG, STM32H742ZG,

STM32H742IG, STM32H742BG,

STM32H742XG, STM32H742AG

STM32H743xI/G

STM32H743VI, STM32H743ZI,

STM32H743II, STM32H743BI,

STM32H743XI, STM32H743AI,

STM32H743VG, STM32H743ZG,

STM32H743IG, STM32H743BG,

STM32H743XG, STM32H743AG

Périphériques externes IC STM32H743IIT6 de mémoire de LQFP176 480MHz

Tehcnology Co.,Ltd de l'électronique d'épicerie
Email : sales3@deli-ic.com
Skype : hkdeli881
Contact : VIVI-CHEN

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