Coefficient de température positif IGBT 4 de court-circuit élevé rapide de modules de SKM400GB12T4
Caractéristiques
• IGBT4 = génération 4. (fossé) IGBT
• VCEsat avec le coefficient de température positif
• Capacité élevée de court-circuit, individu limitant à 6 x ICNOM
• Diode molle de calorie de génération de la commutation 4. (CAL4)
Applications typiques
• Commandes d'inverseur à C.A.
• UPS
• Soudeuses électroniques au fsw jusqu'à 20 kilohertz
Remarques
• Température de carter limitée à
Comité technique = 125°C maximum, recomm.
Dessus = -40… +150°C, produit
rel. résultats valides pour Tj = 150°
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