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ÉCLAIR du micron M29DW323 de M29DW323DT70N6E NI composants électroniques d'IC TSOP48 de circuits intégrés de mémoire
- Mémoire instantanée de l'approvisionnement 3V de M29DW323DT M29DW323DB 32 Mbit (4Mb x8 ou 2Mb x16, double 8h24 de banque, bloc de botte)
Le M29DW323D est une mémoire non-volatile de 32 Mbit (4Mb x8 ou 2Mb x16) qui peut être lue, effacée et reprogrammée. Ces opérations peuvent être effectuées utilisant un approvisionnement simple de la basse tension (2,7 à 3.6V). Sur la mise sous tension les défauts de mémoire à son mode lu. Le dispositif comporte une architecture asymétrique de bloc. Le M29DW323D a un choix de 8 63 principaux blocs de paramètre et et est divisé en deux banques, A et B, fournissant de doubles opérations de banque. Tout en programmant ou en s'effaçant à la banque A, les opérations "lecture" sont possibles à la banque B et vice versa. On permet à seulement une banque à la fois d'être dans le programme ou le mode d'effacement.
M29DW323D a des 32 supplémentaires kilomot (le mode x16) ou le bloc de 64 K bytes (mode x8), le bloc prolongé, celui peut être accédé utilisant une commande consacrée. Le bloc prolongé peut être protégé et ainsi est utile pour stocker les informations de sécurité.
Cependant la protection est irréversible, a par le passé protégé la protection ne peut pas être défaite
. Chaque bloc peut être effacé indépendamment ainsi il est possible de préserver des données valides tandis que de vieilles données sont effacées.
Les blocs peuvent être protégés pour empêcher des commandes accidentelles de programme ou d'effacement de modifier la mémoire.
Des commandes de programme et d'effacement sont écrites à l'interface de commande de la mémoire.
Un contrôleur de programme/effacement de sur-puce simplifie le processus de programmer ou d'effacer la mémoire en prenant soin de toutes les opérations spéciales qui sont exigées pour mettre à jour le contenu de mémoire.
La fin d'une opération de programme ou d'effacement peut être détectée et toutes les conditions d'erreur ont identifié.
La commande réglée exigée pour commander la mémoire est compatible aux normes de JEDEC.
Chip Enable, sortie permettent et écrivent permettent le contrôle de signaux l'opération d'autobus de la mémoire.
Ils permettent la connexion simple à la plupart des microprocesseurs, souvent sans logique supplémentaire.
La mémoire est offerte en (lancement de 6x8mm, de 0.8mm) paquets TSOP48 (12x20mm), et TFBGA48.
RÉSUMÉ DE CARACTÉRISTIQUES :
TENSION D'ALIMENTATION
– VCC = 2.7V à 3.6V pour le programme, l'effacement et la lecture
– VPP =12V pour le programme rapide (facultatif)
LE LE TEMPS D'ACCÈS : 70ns
TEMPS DE PROGRAMMATION DE
– 10µs par octet/Word typiques
– Programme quadruple d'octet de double mot
BLOCS DE MÉMOIRE DE
– Double rangée de mémoire de banque : 8Mbit+24Mbit
– Le paramètre bloque (l'emplacement dessus ou bas)
LE EN PARALLÈLE DES FONCTIONNEMENTS
– Lisez à une banque tandis que programme ou effacement dans autre
Le S'EFFACENT POUR SUSPENDRE et REPRENDRE DES MODES
– Lecture et programme qu'un autre bloc pendant l'effacement suspendent
LE OUVRENT LA COMMANDE DE PROGRAMME DE BY-PASS
– Une programmation plus rapide de production/en lots
PIN du VPP/WP pour le PROGRAMME et la PROTECTION CONTRE L'ÉCRITURE RAPIDES
MODE PROVISOIRE DU BLOC UNPROTECTION DE
L'ÉCLAIR COMMUN de CONNECTENT le code de sécurité mordu par 64
BLOC DE MÉMOIRE PROLONGÉE DE
– Bloc supplémentaire utilisé comme bloc de sécurité ou pour stocker des informations supplémentaires
Remplaçant de CONSOMMATION de PUISSANCE FAIBLE de et remplaçant automatique
CYCLES du 100 000 PROGRAM/ERASE par BLOC
SIGNATURE ÉLECTRONIQUE DE
– Fabricant Code : 0020h
– Code de dispositif supérieur M29DW323DT : 225Eh
– Code de dispositif inférieur M29DW323DB : 225Fh
Spécifications du PARALLÈLE 48TSOP-M29DW323DT70N6E de l'INSTANTANÉ 32MBIT d'IC :
Catetory | Composants électroniques |
Sous-catégorie
|
Circuits intégrés (IC)
|
Série
|
Mémoire
|
Mfr
|
Micron Technology Inc.
|
Paquet
|
Plateau
|
Statut de partie
|
Obsolète
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Type de mémoire
|
Non-volatile
|
Format de mémoire
|
ÉCLAIR
|
Technologie
|
ÉCLAIR - NI
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Capacité de la mémoire
|
32Mb (4M x 8, 2M x 16)
|
Interface de mémoire
|
Parallèle
|
Écrivez la durée de cycle - Word, page
|
70ns
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Temps d'accès
|
70 NS
|
Tension - approvisionnement
|
2.7V | 3.6V
|
Température de fonctionnement
|
-40°C | 85°C (VENTRES)
|
Montage du type
|
Bâti extérieur
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Paquet/cas
|
48-TFSOP (0,724", largeur de 18.40mm)
|
Paquet de dispositif de fournisseur
|
48-TSOP
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Nombre bas de produit
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M29DW323
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Nombres de produits connexes :
Pièce de Mfr # | Technologie | Capacité de la mémoire | Paquet de dispositif |
M29DW323DB70N6F TR | ÉCLAIR - NI | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) | 48-TSOP |
M29DW323DT70N6F TR | ÉCLAIR - NI | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) | 48-TSOP |
M29DW323DB5AN6F TR | ÉCLAIR - NI | 256Mb (16M x 16) | 48-TSOP |
M29DW323DB70N3E | ÉCLAIR - NI | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) | 48-TSOP |
M29DW323DB70N6E | ÉCLAIR - NI | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) | 48-TSOP |
M29DW323DB70ZE6E | ÉCLAIR - NI | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) | 48-TFBGA (6x8) |
M29DW323DB70ZE6F TR | ÉCLAIR - NI | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) | 48-TFBGA (6x8) |
M29DW323DB7AN6F TR | ÉCLAIR - NI | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) | 48-TSOP |
M29DW323DT70ZE6F TR | ÉCLAIR - NI | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) | 48-TFBGA (6x8) |
M29DW323DT70ZE6E | ÉCLAIR - NI | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) | 48-TFBGA (6x8) |
M29DW323DT70N6E | ÉCLAIR - NI | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) | 48-TSOP |
M29DW323DB70N6E | ÉCLAIR - NI | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) | 48-TSOP |
M29DW323DB70N6 | ÉCLAIR - NI | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) | 48-TSOP |
L'information de commande :
Au sujet de la technologie de micron
Le micron fait les solutions innovatrices de mémoire et de stockage qui aident à conduire d'aujourd'hui la plupart des percées significatives et disruptives de technologie, telles que l'intelligence artificielle, l'Internet des choses, auto-conduisant des voitures, exploration d'espace médecine-égale personnalisée. En frayant un chemin plus rapide et plus de moyens efficaces de rassembler, stocker et contrôler des données, elles aident à révolutionner et améliorer la manière que le monde communique, apprend et avance.
Catégories de produit de technologie de micron :
Circuits intégrés (IC)
Cartes de mémoire, modules
Optoélectronique
Image pour la référence :
Classifications environnementales et d'exportation
ATTRIBUT | DESCRIPTION |
---|---|
Statut de RoHS | ROHS3 conforme |
Niveau de sensibilité d'humidité (MSL) | 3 (168 heures) |
Statut de PORTÉE | ATTEIGNEZ inchangé |
ECCN | 3A991B1A |
HTSUS | 8542.32.0071 |
Numéro de la pièce d'IC de circuits intégrés de substituts :
S29JL032J70TFI010/S29JL032J70TFI310
Nous vendons le plus large dossier de l'industrie de la mémoire et des storage technologys : DRACHME, non-et, et NI mémoire IC. Avec des associations d'industrie et l'expertise étroites de solutions de mémoire, notre analyse unique nous donne la capacité de satisfaire vos besoins plus provocants.
Parallèle relatif NI catalogue des pièces de rechange instantané de circuit intégré :
MT28EW128ABA1HJS-0SIT |
MT28EW128ABA1HPC-0SIT |
MT28EW128ABA1HPN-0SIT |
MT28EW128ABA1LJS-0SIT |
MT28EW128ABA1LPC-0SIT |
MT28EW128ABA1LPN-0SIT |