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DS24B33 mémoire IC DS24B33+ DS24B33G+ DS24B33S+DS24B33Q de la MAXIME EEPROM
Description :
Le DS24B33 est des 4096 bits, 1-Wire® EEPROM a organisé en tant que 16 pages de 256 bits chacune de mémoire. Des données sont écrites à un bloc-notes de 32 octets, vérifiées, et puis copiées à la mémoire d'EEPROM. Le DS24B33 communique au-dessus d'un autobus 1-Wire à un conducteur. La communication suit le protocole 1-Wire standard. Chaque dispositif a son propre numéro de matricule 64-bit immuable et unique qui est usine programmée dans la puce. Le numéro de matricule est employé pour adresser le dispositif dans un environnement net du multidrop 1-Wire. Le DS24B33 est compatible au plan logiciel au DS2433.
Applications :
Stockage des constantes de calibrage
Identification de conseil
Stockage de statut de révision de produit
Caractéristiques :
4096 bits d'EEPROM non-volatile ont divisé dans seize pages 256-Bit
Lu et accès en écriture est fortement BackwardCompatible au DS2433
le bloc-notes 256-Bit avec des protocoles lecture/écriture stricts assure l'intégrité du transfert des données
Le numéro de matricule unique, Usine-programmé, 64-bit assure la sélection sans erreur de dispositif et l'identité absolue de partie
Hystérésis de Switchpoint pour optimiser la représentation en présence du bruit
Communique pour accueillir à 15.4kbps ou à 125kbps utilisant le protocole 1-Wire
À travers-trou bon marché et paquets de SMD
Plage de fonctionnement : +2.8V à +5.25V, -40°C à +85°C
Protection d'ESD du niveau 4 du CEI 1000-4-2 (contact de ±8kV, air de ±15kV, typiques) pour le Pin d'E/S
L'information de commande :
PARTIE GAMME DE LA TEMPÉRATURE PIN-PACKAGE
DS24B33+ -40°C à +85°C TO-92
DS24B33+T&R -40°C à +85°C TO-92
DS24B33G+T&R -40°C à +85°C 2 SFN (PCs 2.5k)
DS24B33Q+T&R -40°C à +85°C 6 TDFN-EP* (PCs 2.5k)
DS24B33S+ -40°C à +85°C 8 AINSI (208 mils)
DS24B33S+T&R -40°C à +85°C 8 AINSI (208 mils)
Spécifications d'IC :
DS24B33+ | |
Catégorie
|
Circuits intégrés (IC)
|
Mémoire
|
|
Mfr
|
Maxim Integrated
|
Série
|
-
|
Paquet
|
Sac
|
Statut de partie
|
Actif
|
Type de mémoire
|
Non-volatile
|
Format de mémoire
|
EEPROM
|
Technologie
|
EEPROM
|
Capacité de la mémoire
|
4Kb (256 x 16)
|
Interface de mémoire
|
1-Wire®
|
Écrivez la durée de cycle - Word, page
|
-
|
Temps d'accès
|
2 µs
|
Tension - approvisionnement
|
2.8V | 5.25V
|
Température de fonctionnement
|
-40°C | 85°C (VENTRES)
|
Montage du type
|
Par le trou
|
Paquet/cas
|
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
|
Paquet de dispositif de fournisseur
|
TO-92-3
|
Nombre bas de produit
|
DS24B33
|
Caractéristiques de DS24B33S+ |
|
Catégorie
|
Circuits intégrés (IC)
|
Mémoire
|
|
Mfr
|
Maxim Integrated
|
Série
|
-
|
Paquet
|
Bande et bobine (TR)
|
Statut de partie
|
Actif
|
Type de mémoire
|
Non-volatile
|
Format de mémoire
|
EEPROM
|
Technologie
|
EEPROM
|
Capacité de la mémoire
|
4Kb (256 x 16)
|
Interface de mémoire
|
1-Wire®
|
Écrivez la durée de cycle - Word, page
|
-
|
Temps d'accès
|
2 µs
|
Tension - approvisionnement
|
2.8V | 5.25V
|
Température de fonctionnement
|
-40°C | 85°C (VENTRES)
|
Montage du type
|
Bâti extérieur
|
Paquet/cas
|
8-SOIC (0,209", largeur de 5.30mm)
|
Paquet de dispositif de fournisseur
|
8-SOIC
|
Nombre bas de produit
|
DS24B33
|
Classifications environnementales et d'exportation
ATTRIBUT | DESCRIPTION |
---|---|
Statut de RoHS | ROHS3 conforme |
Niveau de sensibilité d'humidité (MSL) | 3 (168 heures) |
Statut de PORTÉE | ATTEIGNEZ inchangé |
ECCN | 3A991B1A |
HTSUS | 8542.32.0071 |
Il y a pleine mémoire IC DS24B33+ DS24B33G+ DS24B33S+DS24B33Q de série pour disponible à long terme. Accueil pour entrer en contact avec ic@icschip.com