Angel Technology Electronics Co

Shenzhen Angel Technology Electronics Co. a été créée Distributeur de composants électroniques et fabricant de PCBA

Manufacturer from China
Fournisseur Vérifié
5 Ans
Accueil / produits / Discrete Semiconductors /

IHW30N160R2 Transistor IGBT H30R1602 Semi-conducteur de puissance

Contacter
Angel Technology Electronics Co
Visitez le site Web
Ville:shenzhen
Province / État:hongkong
Pays / Région:china
Contact:MrsSophia
Contacter

IHW30N160R2 Transistor IGBT H30R1602 Semi-conducteur de puissance

Demander le dernier prix
Chaîne vidéo
Number modèle :IHW30N160R2FKSA1
Point d'origine :La Chine
Quantité d'ordre minimum :10pieces
Conditions de paiement :T/T, Western Union
Capacité d'approvisionnement :500000PCS
Délai de livraison :2-15days
Détails de empaquetage :forfait standard
Famille :Produits semi-conducteurs discrets
Catégorie :Composants électroniques-Transistors IGBT
TYPE D'IGBT :NPT, arrêt de champ de tranchée
Numéro de la pièce bas :H30R1602
Détails :IGBT 1600V 60A 312W TO247-3
Applications :Cuisson inductive , Applications de commutation douce
Description :IGBT NPT, Trench Field Stop 1600 V 60 A 312 W Trou traversant PG-TO247-3-1
Paquet :TO247
Montage du type :Par le trou
Le stock :En stock
more
Contacter

Add to Cart

Trouver des vidéos similaires
Voir la description du produit

IHW30N160R2 Transistors IGBTs H30R1602 Série à commutation douce Semi-conducteurs de puissance IC IHW30N160R2FKSA1Série de commutation douce

Applications:
• Cuisson par induction
• Applications de commutation logicielle

La description:

TrenchStop® Reverse Conducting (RC-)IGBT avec diode à corps monolithique
Caractéristiques:
• Puissante diode de corps monolithique avec très faible tension directe
• La diode du corps bloque les tensions négatives
• La technologie Trench et Fieldstop pour les applications 1600 V offre :
- distribution de paramètres très serrée
- haute robustesse, comportement stable en température
• La technologie NPT offre une capacité de commutation parallèle facile grâce à
coefficient de température positif en VCE(sat)
• Faible EMI
• Qualifié selon JEDEC1
pour les applications cibles
• Placage de plomb sans plomb ;Conforme RoHS

Spécification : IGBT NPT, arrêt de champ de tranchée 1 600 V 60 A 312 W Trou traversant PG-TO247-3-1

Numéro d'article IHW30N160R2
Catégorie
Produits semi-conducteurs discrets
 
Transistors - IGBT - Unique
Séries
TrenchStop®
Paquet
Tube
Type d'IGBT
NPT, arrêt de champ de tranchée
Tension - Répartition Collecteur Emetteur (Max)
1600V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)
60 A
Courant - Collecteur Pulsé (Icm)
90 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 30A
Puissance - Max
312W
Changement d'énergie
4.37mJ
Type d'entrée
Standard
Frais de porte
94 nC
Td (marche/arrêt) @ 25°C
-/525ns
Condition de test
600V, 30A, 10Ohms, 15V
Température de fonctionnement
-40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
À travers le trou
Paquet/caisse
TO-247-3
Ensemble d'appareils du fournisseur
PG-TO247-3-1

Classifications environnementales et d'exportation
ATTRIBUT LA DESCRIPTION
Statut RoHS Conforme ROHS3
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Illimité)
Statut REACH REACH non affecté
ECCN EAR99
HTSUS

8541.29.0095

Numéro d'article IHW30N160R2FKSA1
Numéro de pièce de base IHW30N160R2
RoHS UE Conforme à l'exonération
ECCN (États-Unis) EAR99
Statut de la pièce actif
HTS 8541.29.00.95

IHW30N160R2 Transistor IGBT H30R1602 Semi-conducteur de puissanceIHW30N160R2 Transistor IGBT H30R1602 Semi-conducteur de puissance

IHW30N160R2 Transistor IGBT H30R1602 Semi-conducteur de puissance

Remplaçants (1) :
IXGH24N170 IXYS
Inquiry Cart 0