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Planaire épitaxial de silicium de diodes de commutation 1SS226 pour la commutation ultra à grande vitesse

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Ville:shenzhen
Province / État:hongkong
Pays / Région:china
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Planaire épitaxial de silicium de diodes de commutation 1SS226 pour la commutation ultra à grande vitesse

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Number modèle :1SS26 (C3)
Point d'origine :LA CHINE
Quantité d'ordre minimum :100pcs
Conditions de paiement :T/T, Western Union
Capacité d'approvisionnement :500000pcs
Délai de livraison :2-15days
Détails de empaquetage :Bobine
Catégorie :Composant-diodes électroniques
Caractéristiques :Planaire épitaxial de silicium de diodes de commutation 1SS226
Famille :NPN a polarisé le transistor SOT-323 de signal
Support :Montage en surface
Application :Commutation d'Ultra-Haut-vitesse
Paquet :3-Pin SOT23
Description :Puissance, salut diode de changement 0.1A 80V VR de commutateur de SPD
Délai d'exécution :En stock
Le stock :En stock
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Planaire épitaxial de silicium de diodes de commutation 1SS226 pour la commutation d'Ultra-Haut-vitesse

1. Applications

• Commutation d'Ultra-Haut-vitesse

2. Caractéristiques

(1) AEC-Q101 a qualifié

Planaire épitaxial de silicium de diodes de commutation 1SS226 pour la commutation ultra à grande vitesse
Caractéristique Commutation ultra-rapide
Connexion interne Série
Nombre de circuits 2
AEC-Q101 Qualifié (*)
Produits compatibles de RoHS (#) Disponible

1SS226TE85IF

Diode commutant 85V 0.1A 3-Pin S-mini T/R

Planaire épitaxial de silicium de diodes de commutation 1SS226 pour la commutation ultra à grande vitessePlanaire épitaxial de silicium de diodes de commutation 1SS226 pour la commutation ultra à grande vitesse

Planaire épitaxial de silicium de diodes de commutation 1SS226 pour la commutation ultra à grande vitesse

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