Mémoire d'un octet instantanée monolithique d'IC 64KB FM1608-120 Fram de mémoire

FM1608-120 - RAMTRON INTERNATIONAL CORPORATION - MÉMOIRE D'UN OCTET DE 64KB FRAM

Détail rapide :

mémoire d'un octet de 64Kb FRAM

Description :

Le FM1608 est une mémoire non volatile de 64 kilobits utilisant un processus ferroélectrique avancé. Une mémoire à accès sélectif ou un FRAM ferroélectrique est

non-volatile mais fonctionne à d'autres égards comme RAM. Il fournit la conservation de données pendant 10 années tout en éliminant les soucis de fiabilité, les inconvénients fonctionnels et les complexités de conception de système de SRAM soutenu par la batterie. Son rapidement écrire et écrire haut la résistance pour la rendre supérieure à d'autres types de mémoire non volatile.

l'opération de Dans-système du FM1608 est très semblable à d'autres dispositifs à mémoire vive. La lecture et les writecycles de mémoire ont besoin de des périodes égales. La mémoire de FRAM, cependant, est due non-volatile à son processus ferroélectrique unique de mémoire. À la différence de BBSRAM, le FM1608 est une mémoire non volatile véritablement monolithique. Il fournit les mêmes indemnités fonctionnelles d'un rapide écrivent sans inconvénients sérieux liés aux modules et

batteries ou solutions hybrides de mémoire.

Ces capacités rendent l'idéal FM1608 pour l'exigence d'applications de mémoire non volatile fréquent ou rapide écrit dans un environnement d'un octet. La disponibilité d'un véritable paquet de surface-bâti améliore le manufacturability de nouvelles conceptions, alors que le paquet d'IMMERSION facilite des modifications de conception simple. Le FM1608 offre l'opération garantie sur une température ambiante industrielle de -40°C à +85°C.

Applications :

64K a mordu RAM non-volatile ferroélectrique

· Organisé en tant que 8 192 x 8 bits

· La résistance élevée que 10 milliards (1010) lisent/écrivent

· conservation de 10 données d'an à 85° C

· NoDelay™ écrivent

· Processus ferroélectrique de haut-fiabilité avancée

Supérieur aux modules de BBSRAM

· Aucun soucis de batterie

· Fiabilité monolithique

· Véritable solution extérieure de bâti, aucune étapes de reprise

· Supérieur pour l'humidité, le choc, et la vibration

· Résistant aux attérrissages trop courts négatifs de tension

SRAM et EEPROM compatibles

· Pinout de JEDEC 8Kx8 SRAM et d'EEPROM

· temps d'accès de 120 NS

· durée de cycle de 180 NS

· L'égalité d'accès et la durée de cycle pour lit et écrit

Opération de puissance faible

· courant actif de 15 mA

· courant de réserve de 20 mA

Configuration industriellement compatible

· La température industrielle -40° C à +85° C

· CONCESSION ou IMMERSION de 28 bornes

Caractéristiques :