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la Manche extérieure du bâti IRFR024NTRPBF D PAK N de transistor de puissance élevée de 17a 55v 45w

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Ville:shenzhen
Pays / Région:china
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la Manche extérieure du bâti IRFR024NTRPBF D PAK N de transistor de puissance élevée de 17a 55v 45w

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Number modèle :IRFR024NTRPBF
Point d'origine :Usine originale
Quantité d'ordre minimum :Quantité d'ordre minimum : 10 PCS
Conditions de paiement :T/T à l'avance, Western Union, Xtransfer
Capacité d'approvisionnement :1000
Délai de livraison :Dans 3days
Détails de empaquetage :Emballage standard
Number modèle :IRFR024NTRPBF
Type :circuit intégré
Type de paquet :SMD
Port :Shenzhen ou Hong Kong
Délai d'exécution :jours 1-3working
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CANAL EXTÉRIEUR 55V 17A 45W de d PAK n du TRANSISTOR IRFR024NTRPBF de PUISSANCE ÉLEVÉE de BÂTI

 

Description de produit détaillée
Type de FET : N-canal Température de fonctionnement : -55°C | 175°C
Niveau de sensibilité d'humidité (MSL) : 1 (illimité) Statut sans plomb/statut de RoHS : Sans plomb/RoHS conforme
Lumière élevée :

transistors de transistor MOSFET de puissance élevée

,

transistor de transistor MOSFET de canal de n

 

 

Bâti extérieur RoHS du N-canal 55V 17A 45W d'IRFR024NTRPBF D-PAK conforme

Caractéristique
l Sur-résistance très réduite
l bâti de surface (IRFR024N)
l avance droite (IRFU024N)
l a avancé la technologie transformatrice
l commutation rapide
l entièrement avalanche évaluée
Type de FET N-canal  
Technologie Transistor MOSFET (oxyde de métal)  
Vidangez à la tension de source (Vdss) 55V  
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C 17A (comité technique)  
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs 75 mOhm @ 10A, 10V  
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ 4V @ 250µA  
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs 20nC @ 10V  
Vgs (maximum) ±20V  
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds 370pF @ 25V  
Caractéristique de FET -  
Dissipation de puissance (maximum) 45W (comité technique)  
Température de fonctionnement -55°C | 175°C (TJ)  
Montage du type Bâti extérieur

 

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