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Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.

Ville:shenzhen

Province / État:guangdong

Pays / Région:china

Contact:MrsCai

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Catégorie :Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Bipolaire (BJT)

Actuel - collecteur (IC) (maximum) :100 mA

Statut du produit :Actif

Type de transistor :NPN - Pré-décentré

Type de montage :Monture de surface

Le paquet :Tape et bobine (TR)

Série :-

Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC :Pour les appareils de traitement des ondes électriques

Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum) :50 V

Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur :VESM

Résistance - base (R1) :47 kOhms

Mfr :Semi-conducteur et stockage de Toshiba

Résistance - base d'émetteur (R2) :22 kOhms

Actuel - coupure de collecteur (maximum) :500nA

Puissance - maximum :150 mW

Emballage / boîtier :SOT-723

Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce :70 @ 10mA, 5V

Numéro du produit de base :RN1109

Définition :Le système de régulation de la fréquence de l'électricité doit être conforme à la norme ISO/IEC 1701

Le stock :En stock

Méthode de transport :LCL, AIR, FCL, express

Conditions de paiement :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram

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Transistor bipolaire pré-biasé (BJT) NPN - VESM de montage de surface pré-biasé 50 V 100 mA 150 mW

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Puces de circuit intégré

Puce d'IC de mémoire instantanée

Circuit intégré de TI

Circuit intégré de St

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Puce d'IC de transistor

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Recyclage des composants électroniques

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