produits Fournisseurs Sign in Register

Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.

tengshengda Cie. ÉLECTRIQUE, Ltd de Shenzhen.

Manufacturer from China
Membre actif
3 Ans
Accueil le catalogue des produits Profil de la société Contrôle de qualité Contactez nous Demander un devis
Français
Accueil / produits / Transistor IC Chip /

L'équipement doit être équipé d'un dispositif d'éclairage.

Catégories de produits

Puces de circuit intégré

 [2886]

Puce d'IC de mémoire instantanée

 [2915]

Circuit intégré de TI

 [168]

Circuit intégré de St

 [234]

Circuit intégré d'Intel

 [110]

Puce de NXP IC

 [27]

Puce ATMEL

 [20]

Puce d'IC de transistor

 [2471]

Circuit intégré de SMD

 [2334]

L'ordinateur IC ébrèche

 [2889]

Condensateurs de composants électroniques

 [20]

Carte mère de serveur

 [30]

Lecteur de disque dur de disque transistorisé

 [20]

poly gants jetables

 [1]

Module de mémoire

 [18]

Affichage d'affichage à cristaux liquides de SMG

 [20]

Affichage d'affichage à cristaux liquides d'Iphone

 [20]

affichage d'affichage à cristaux liquides de téléphone portable

 [20]

Recyclage des composants électroniques

 [1]
Contacter
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
Contact:MrsCai
Coordonnées du contact
Contacter
China L'équipement doit être équipé d'un dispositif d'éclairage. wholesale
  • China L'équipement doit être équipé d'un dispositif d'éclairage. wholesale

L'équipement doit être équipé d'un dispositif d'éclairage.
Demander le dernier prix
Catégorie :Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Bipolaire (BJT)
Actuel - collecteur (IC) (maximum) :100 mA
Statut du produit :Dépassé
Type de transistor :NPN - Pré-décentré
Type de montage :Monture de surface
Le paquet :Coupez la bande (les CT)
Série :-
Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC :250 mV @ 300 μA, 10 mA
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum) :50 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur :SC-59
Résistance - base (R1) :22 kOhms
Mfr :un demi
Résistance - base d'émetteur (R2) :22 kOhms
Actuel - coupure de collecteur (maximum) :500nA
Puissance - maximum :338 mW
Emballage / boîtier :TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce :60 @ 5mA, 10V
Numéro du produit de base :Pour les appareils électroniques
Définition :Le système de régulation de l'émission de CO2 doit être conforme à l'annexe I.
Le stock :En stock
Méthode de transport :LCL, AIR, FCL, express
Conditions de paiement :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
more
Contacter

Add to Cart
Trouver des vidéos similaires
Voir la description du produit
Transistor bipolaire pré-biasé (BJT) NPN - Pré-biasé 50 V 100 mA 338 mW Monture de surface SC-59
Inquiry Cart 0

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍 联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2026 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4