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Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.

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Catégorie :Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Bipolaire (BJT)
Actuel - collecteur (IC) (maximum) :30 mA
Statut du produit :Pas pour les nouveaux modèles
Type de transistor :NPN - Pré-décentré
Fréquence - transition :250 MHz
Type de montage :Monture de surface
Le paquet :Tape et bobine (TR) Tape à découper (CT) Digi-Reel®
Série :-
Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC :300mV @ 500µA, 10mA
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum) :50 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur :UMT3F
Résistance - base (R1) :47 kOhms
Mfr :Semi-conducteurs Rohm
Résistance - base d'émetteur (R2) :47 kOhms
Actuel - coupure de collecteur (maximum) :500nA
Puissance - maximum :200 mW
Emballage / boîtier :SC-85
Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce :68 @ 5mA, 5V
Numéro du produit de base :DTC144
Définition :TRANSPORT PREBIAS NPN 200MW UMT3F
Le stock :En stock
Méthode de transport :LCL, AIR, FCL, express
Conditions de paiement :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
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Transistor bipolaire pré-biasé (BJT) NPN - Pré-biasé 50 V 30 mA 250 MHz 200 mW Monture de surface UMT3F
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